CdS纳米线分级结构薄膜的制备及光催化性能

采用电沉积-溶剂热两步法制备了Cu基Cd S纳米线分级结构薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、能谱分析仪(EDS)、紫外-可见漫反射光谱(UV-vis-DRS)等对薄膜进行表征,探讨了Cd基Cd S纳米线的成核生长机制。结果显示:Cu基Cd微米片阵列与其表面生长的针状Cd S纳米线,构筑形成了多孔道的分级结构薄膜,改变溶剂热的时间、温度及硫源浓度,Cd S纳米线尺寸呈规律性变化。Cu基Cd S薄膜具有较好的光催化活性和稳定性,经5次光催化循环,罗丹明B(Rh B)降解率下降不明显。