二硫化锡薄膜的生长及掺杂研究

二硫化锡是近年来备受关注的二维半导体材料之一,因其优异的电学和光电性能以及元素储备丰富且对环境友好等优点,在电子、光电以及能源转换等领域展现出极大的应用潜力。目前,高质量薄层二硫化锡的可控制备仍是研究中备受关注的重要课题。本文采用气相外延方法探索二硫化锡薄膜的外延生长和掺杂调控,结合多种表征测试技术,研究其生长过程和结构特性,实现了材料的逐层生长。进一步地在生长过程中引入铟掺杂,由于晶格有序度的降低,二硫化锡的拉曼特征峰展宽且强度减弱,X射线光电子能谱分析发现,铟的掺入使得体系费米能级下移,实现了p型掺杂。研究结果为二硫化锡的可控生长以及掺杂提供了参考。