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题名一款高线性度正电压控制的压控衰减器
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作者
许传栋
苏郁秋
董思源
李光超
周宏健
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机构
中科芯集成电路有限公司
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出处
《电子设计工程》
2022年第21期71-74,79,共5页
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文摘
针对高线性度压控衰减器对正电压作为控制信号的需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)0.25μm工艺,设计了一款1~6 GHz正电压控制的高线性度微波单片压控衰减器(VCA)。该压控衰减器控制管芯选择电阻变化率更小的D-mode PHEMT晶体管,通过电压浮地技术和采用片上集成隔直电容的方式,对传统的T型衰减电路的拓扑结构进行改进,从而实现0~5 V的正电压控制和高线性度。芯片在片测试结果表明,基态插入损耗小于2.3 dB,端口输入、输出电压驻波比小于1.6∶1,压控衰减器的衰减动态范围为0~28 dB,芯片尺寸为1.75 mm×1.35 mm×0.1 mm。
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关键词
砷化镓
正电压控制
高线性度
压控衰减器
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Keywords
GaAs
positive voltage control
high linearity
voltage control attenuator
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分类号
TN715
[电子电信—电路与系统]
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