一种宽光谱响应的双结单光子雪崩二极管

基于180 nm BCD工艺提出了一种新型双结雪崩区的单光子雪崩二极管(SPAD)探测器,采用N阱/高压P阱/N^(+)埋层结构形成了两个垂直堆叠的PN结,高压P阱和N^(+)埋层交界面形成较深的主雪崩区,增强对近红外短波光子的探测概率;同时,N阱/高压P阱之间形成浅的次雪崩区,实现对蓝绿光的高效探测,两结同时工作能够有效扩展器件的光谱响应范围。TCAD仿真结果表明,与传统的P阱/深N阱结构相比,双结SPAD器件在300~940 nm的宽光谱范围内有更高的光子探测概率,在800 nm近红外短波段探测概率达到了20.6%。在3 V过偏压下,暗计数率为0.8 kHz,后脉冲概率为3.2%。

SPAD探测器深n阱保护环宽度对暗计数噪声的影响

为了探究单光子雪崩二极管(SPAD)器件的保护环宽度(W_(GR))对暗计数噪声的影响,基于标准180 nm CMOS工艺,设计了以低浓度掺杂深n阱(DNW)为保护环的p阱(PW)/DNW结构,通过实验和TCAD仿真研究了W_(GR)对暗计数噪声的影响。实验结果表明,当W_(GR)从1μm增加到2μm时,室温下SPAD器件的暗计数率(DCR)从79 kHz显著减小到17 kHz;当W_(GR)从2μm增加到3μm时,DCR不再发生明显变化。TCAD仿真揭示了当W_(GR)从2μm减小到1μm时,保护环区域的电场强度增长较大,导致缺陷辅助隧穿(TAT)效应引起的暗计数显著增加。当W_(GR)增加到2μm以上时,保护环区域的电场强度不再降低,继续增大W_(GR)对降低DCR不再有效,反而会导致SPAD器件填充因子减小。因此DNW W_(GR)为2μm的SPAD器件在具有低暗计数率的同时又有较小的尺寸,有利于高密度阵列的集成。

一种集成近红外SPAD阵列的激光雷达测距系统

基于0.18μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺实现了一种高探测效率、低暗计数噪声、低误码率、高分辨率、大动态范围的近红外激光雷达测距系统。该系统集成了一个4×4单光子雪崩二极管(SPAD)阵列和一个基于延迟锁相环(DLL)的两段式时间数字转换器(TDC)。SPAD阵列采用一种新型高压p阱/高压n+埋层的深雪崩区结构,显著提高了对近红外光子的探测概率(PDP)。TDC采用双链计数器以及相位插值法,降低了段间误码概率并获得了高分辨率和大动态范围。测试结果表明,SPAD器件在5 V过偏压下的暗计数率(DCR)低至162 s^(-1),在905 nm近红外波长处的PDP大于8.5%,可工作在人眼安全阈值较高的近红外波段。TDC实现了208 ps的高时间分辨率和1.28μs的动态范围,微分非线性度(DNL)和积分非线性度(INL)分别在±0.1L_(SB)(L_(SB)代表最低有效位)和±0.6L_(SB)范围内,在50~75 MHz输入时钟下的直接光子飞行时间(dTOF)测量误差为0.37 ns。

浅议企业文化中国化的路径问题

中国现代企业的管理理论在改革开放不断深化的进程中不断进化,从全盘接受西方管理科学,到如今结合中国文化及中国管理思想的精华,形成了企业文化管理中国化这一必然趋势,中国当代一些杰出的企业家,已经能够自觉地整合中国思想,古典哲学和现代企业文化的联系,结合西方管理体系,钻研探索具有中国特色的企业文化管理方法,本文从中国企业面对新经济形式的现实基础出发,简要分析企业文化这一外来概念,在中国化的路径中已然显现的几个问题。

我最喜欢的地方

开头写法--扣题提示写什么： 我最喜欢的地方是我自己的房间。那是一个真正属于我的地方——寂寞时，我在那乙拉小提琴；放学后，我在那儿读书、写作此……只要一回到自己的房间，我就会感到非常充实、幸福和快乐。