一种新型铸造铝铜合金的热处理工艺研究

铸铝铜合金成分多,熔炼工艺复杂、成型工艺困难、力学性能稳定性差,严重制约了其在高端装备关键零部件上的广泛应用。通过正交试验确定了一种新型铸造Al-Cu合金的最佳热处理工艺,采用OM、SEM和TEM表征了合金的显微组织,分析了合金组织与性能的关系。结果表明:新型铸造Al-Cu合金获得高强度的最佳热处理工艺为:固溶535℃/8h、时效170℃/6 h。热处理后该合金的平均抗拉强度达到518 MPa,平均伸长率为5.8%,具有良好的力学性能;合金平均晶粒度为7级,时效过程析出的第二相在境界弥散分布;拉伸试样断口有大量细小韧窝,且有明显的河流状的撕裂棱。

极化方式对弛豫铁电单晶光学和电学性能的影响

针对传统弛豫铁电晶体透光率的问题,文中选择了三方相结构三元弛豫铁电单晶25PIN 44PMN 31PT,沿[001]方向对晶体进行了常温直流和交流极化,对比并分析了两种极化样品的透光率和介电压电性能。研究结果表明:交流极化后,样品透光率在可见光波段达到70%,室温下相对介电常数提高了18%,压电系数和逆压电系数分别提高了9.7%和11%。交流极化可以去除对光产生散射的71°畴壁,提高了材料透光率;交流极化样品中畴的极化旋转更加容易,因而具有更高的介电压电性能。

拉伸试棒模具结构对铸造铝合金组织的影响

针对现有的国家标准铝合金的试棒浇注模具,浇注的试棒存在夹渣、气孔、缩松、冷隔等铸造缺陷,无法合理反映合金的真实力学性能的现状,本文使用ANSYS等软件,利用流体静力学和传热学原理科学的分析了直浇道的倾斜角度和内浇道与集渣腔连接的位置铝合金组织的影响,设计了一种铝合金拉伸试棒的铸造模具。模拟结果表明,直浇道的倾斜角度为70°时,流体流速波动范围最小;内浇道与集渣腔连接的位置为集渣腔压心时,集渣腔集渣过滤效果最佳。浇注实验结果表明,本模具成型的ZL205A和ZL101试棒平均晶粒和枝晶间距均优于GB/T1173-2013模具成型试棒组织。分析认为,合理的流速控制(直浇道的倾斜角)和集渣腔高度设计有利于试棒获得晶粒细小,铸造缺陷少的组织。

高场强MRI在前列腺良恶性病变诊断中的应用效果

目的分析高场强磁共振成像(high field strength magnetic resonance imaging,MRI)对前列腺良恶性病变的鉴别诊断价值。方法选取2016年1月—2021年12月盐城市第三人民医院影像科收治的疑似前列腺病变患者60例,均以高场强MRI检查,以手术穿刺活检病理诊断结果为金标准,分析高场强MRI诊断效能及影像学特征。结果手术病理确诊30例为良性前列腺增生(阴性)、30例为前列腺癌(阳性)。高场强MRI诊断准确度为95.00%,敏感度为93.33%,特异度为96.67%,阳性预测值为96.55%,阴性预测值为93.55%。经一致性系数分析,高场强与MRI诊断一致性为0.900,一致性良好。前列腺增生:前列腺体积弥漫性增大,T_(2)WI显示前列腺中央叶明显增大,信号不均匀,呈类圆形高信号/低信号,外周带受压变窄。前列腺癌:癌组织呈弥漫性浸润性生长,T_(2)WI移行带呈低信号,边界模糊,病变位于包膜内或突破包膜、侵犯精囊腺或血管神经束,或合并淋巴结肿大、骨盆骨转移。结论高场强MRI在前列腺良恶性病变鉴别诊断中的准确性和可靠性较高,具有推广应用价值。

腹部MRI在急性胰腺炎诊断中的临床价值

目的:探讨腹部MRI在急性胰腺炎(acute pancreatitis,AP)诊断中的临床价值。方法:选取2019年1月—2021年12月盐城市第三人民医院收治的疑似AP患者60例为研究对象,均行腹部MRI与CT检查,并以临床综合诊断或手术病理结果为“金标准”,观察对比腹部MRI与CT诊断AP的诊断效能,分析诊断一致性。以金标准结果将患者分为AP组与非AP组,比较两组的经MRI诊断的表观弥散系数(ADC)值。结果:以AP的临床综合诊断结果作为金标准,腹部MRI诊断AP的准确率、灵敏度、特异度以及Kappa值分别为85.00%、87.50%、75.00%、0.571,CT诊断AP的准确率、灵敏度、特异度以及Kappa值分别为70.00%、72.92%、50.00%、0.188,腹部MRI诊断AP的准确率高于CT,差异有统计学意义(P<0.05),且诊断一致性优于CT。以金标准结果将患者分为AP组与非AP组,AP组腹部MRI参数ADC值水平显著低于非AP组(P<0.01)。结论:腹部MRI对AP具有较高的诊断价值,可进一步推广应用。

室温电流快速烧结氧化镁陶瓷工艺及机理

为了减少陶瓷烧结的能耗,降低烧结温度,探究常温下快速高效烧结陶瓷的制备方法。文中采用氧化镁为模型材料,使用LiCl溶液的辅助下通过将电流施加在生坯上进行室温下的陶瓷烧结,获得了一定致密度的MgO陶瓷。研究结果表明:阈值电场强度随着LiCl(烧结助剂)含量的增加而降低;升压速率与阈值电场强度呈反比关系。MgO陶瓷烧结的最佳工艺:LiCl的摩尔占比为10%,升压速率为50 V·s^(-1),烧结时间为60 s。通过模拟生坯快速升温时电导率的变化特征,提出了室温电流烧结陶瓷的机理:LiCl溶液中的Li^(+)和Cl^(-)为烧结初期提供电导载体;随温度升高,生坯中水分和部分LiCl挥发,部分LiCl熔化后继续使生坯保持导电,从而维持了陶瓷的电流烧结。

MR-T_2WI纹理分析在前列腺癌诊断中初步应用

目的探讨MR-T_2WI纹理分析在前列腺癌诊断中的价值。方法回顾性分析病理证实的140例前列腺癌与160例良性前列腺增生的MR-T_2WI图像;通过纹理分析方法测得MR-T_2WI图像前列腺病灶的熵、平均值、标准差、不均匀度、峰值和偏度等纹理分析定量参数,用独立样本t检验比较前列腺癌组和良性增生组间各纹理分析定量参数的差异;应用受试者工作特征曲线,获得曲线下面积,确定各定量参数鉴别前列腺癌与良性增生的阈值和诊断效能。运用Z检验比较各参数的曲线下面积。结果纹理分析定量参数中熵、平均值、标准差、不均匀度和峰值五个参数在前列腺癌组与良性增生组间的差异具有统计学意义;平均值鉴别前列腺癌组与良性增生组的AUC值为0.804,当阈值为94.34时,其诊断敏感性为73.6%、特异性为80.0%、准确性为77.0%,其效能最高,均高于其他定量参数。结论 MR-T_2WI纹理分析的部分定量参数有助于前列腺癌与良性前列腺增生的鉴别;纹理分析有助于提升MR-T_2WI的诊断价值。

碘化汞(α-HgI_2)晶体生长及其性能表征

利用垂直两温区透明油浴炉,采用升华法成功生长了α-HgI2单晶体。通过对比不同生长阶段晶体生长界面,观察到HgI2晶体在气相生长中存在界面形貌转变。晶体生长初期的生长面呈棱面,然后逐渐转变为圆滑界面。利用XRD、透射光谱以及I-V测试对所生长晶体的性能进行了表征。XRD结果表明所生长的晶体为单相的α-HgI2晶体,晶体的生长方向为[001]。紫外-可见-近红外透过光谱分析发现,HgI2晶体的截至波长为580 nm,对应的禁带宽度为2.12 eV,近红外区内透过率约为45%。由于空穴的俘获及陷阱能级作用,在2307.5 nm和1731.4 nm处产生了两个明显的吸收峰。所生长的α-HgI2晶体电阻率约为1011Ω.cm,满足制作核辐射探测器的要求。

HgI_2多晶薄膜的气相同质外延生长

为提高HgI2多晶薄膜的气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从不同浓度的C3H6O-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2衬底层。通过XRD对比衬底层的定向效果,选择最佳的衬底并气相外延沉积HgI2多晶薄膜。利用SEM、XRD分析了薄膜的定向生长特性;以137 Cs为放射源,在室温下测试了探测器的探测效率。

在线社会网络的网络结构和信息传播研究综述

随着在线社会网络的大规模应用和普及,亟需对在线社会网络进行深入研究分析。在线社会网络的网络结构和信息传播研究是该领域中的两大研究热点和关键问题。网络结构包括关键节点、网络关系以及社团的挖掘,通过对网络结构的分析可以掌握被分析网络中存在的社团、节点之间的关系以及关键节点等,而这种分析对于国家及时掌握在线社会网络的舆情、公司广告在网络上投放策略的制定都具有极大的帮助。对在线社会网络信息传播的研究主要有信息传播动力模型、信息传播源和路径的发现与描绘、信息传播的最大化和最小化等,通过对在线社会网络信息传播的研究,人们可以对在线社会网络信息传播的影响进行预测和干预,从而可以将信息传播的影响按照有利的方向引导。综述了在线社会网络的网络结构和信息传播的研究现状,并对这两方面的主要研究方法及技术的优势和不足以及适用场合进行了对比分析。

亚稳碘化汞（β-HgI2M）晶体生长与相变

采用溶液法，以α-HgI2为原料，在DMSO和H20混合溶剂中生长了β-HgI2M晶体。通过XRD检测了晶体的结构特征，利用偏光显微镜研究了晶体生长的动态过程及β-HgI2M→α—HgI2的相变过程。研究表明，生长的晶体为β-HgI2M，空间结构为Cmc2 1；晶体生长界面夹角为65．02°，与β-HgI2M单胞中（110）和（110）夹角（65．16°）吻合；β-HgI2M→α-HgI2相变为结构重构的一级相变。

机会网络的不确定社会关系社团发现

机会网络的节点相遇形成了社会关系.现有的机会网络社团划分都是以确定的社会关系为输入.然而,由于节点之间的社会关系由相遇和通信共同决定,这使节点间的社会关系存在不确定性.为了研究机会网络社会关系及其社团,建立了机会网络的不确定社会关系模型,并基于该社会关系模型进行社团划分.首先,根据节点相遇、通信记录,构建机会网络的不确定社会关系模型;其次,提出了社团概率密度,并根据社团概率密度提出了改进的K派系过滤算法,该算法能够对不确定的社会关系进行社团划分.实验结果表明,基于社团概率密度的K派系过滤算法能够得到较好的社团划分结果.

疏水性有机-无机SiO_2复合薄膜的制备及性能研究

以正硅酸乙酯为主要原料，用长链三甲氧基硅烷GH2n＋1Sit（OCH3）3（n=7～12）取代含氟有机硅烷，采用溶胶凝胶法制备了无氟疏水性纳米SiO2复合薄膜．利用差热热重分析研究胶体特性；利用分光光度计对胶体进行红外光谱分析；采用扫描电子显微镜检测了薄膜表面质量，利用划痕法和盐雾腐蚀对薄膜进行了附着力和腐蚀试验．结果表明，为避免疏水功能团—CH3被破坏，薄膜的热处理温度应低于300℃，热处理后薄膜中的SiO2含量增加．对基材采用多层涂覆及逐层热处理，可提高薄膜疏水性能，平均接触角达到110．2°．薄膜附着力达到GBl720—88相应一级，具有良好的防腐蚀性能．

HgI_2晶体最低生长温度的确定

为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ES D约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin。结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致。该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据。

HgI_2晶体溅射Au电极与化学镀Au电极的I-V特性

利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性。测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为109Ω.cm。计算接触电阻Rc的结果表明,Au/HgI2与AuCl3/HgI2接触电阻为1.6×107Ω和4.3×106Ω;AuCl3/HgI2更容易产生较低的接触电阻,形成良好的欧姆接触。分析认为AuCl3/HgI2接触中电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极。由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/HgI2具有良好的欧姆接触特性。溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差。

非稳态拓扑下的机会网络分层模型

为了解决在消息敏感的机会网络中社团划分结果不可重用的问题,提出了一种与消息类型相匹配的机会网络分层模型.首先,将机会网络的物理节点集映射为与消息类型匹配的虚拟节点集,并以此为基础建立虚拟机会网络层;然后,在虚拟机会网络层上,建立虚拟节点集的社会关系;最后,对虚拟节点集的社会关系进行社团划分.实验结果表明:在消息数量相同的条件下,当消息序列中相邻位置消息的类型差异度分别为40%和100%时,在虚拟层上进行社团划分的时间与在物理机会网络上直接进行社团划分的时间相比分别减少约58%和89%;基于分层模型的社团划分的运行次数仅依赖于消息类型的数量,而不会随消息数量或消息序列中不同类型消息交错方式的变化而变化.

α-HgI_2多晶体合成工艺优化

针对传统的两温区气相合成高纯HgI2多晶体方法(工艺1)原料损失多、产量低等缺点,通过工艺优化,采用单温区安瓿旋转高温合成工艺(工艺2)合成了HgI2多晶粉体.对比了两种工艺条件下合成产物的物相和杂质含量,结果表明:相对于工艺1,工艺2中由于安瓿旋转和反应温度高,原料反应充分,HgI2多晶体的产量从占合成产物总量的30%增大到90%.工艺2中杂质总量在10×10-6以下,达到HgI2单晶体生长要求.

时间敏感的机会网络社会关系拓扑演化研究

目前基于社团的机会网络路由算法都是以静态社会关系为依据,社团呈现为静态。但实际中,机会网络节点的移动性使得网络社会关系拓扑随时间动态演化,社团也随之变化,以静态社会关系拓扑为依据的社团划分会带来消息投递成功率低,传输延迟大等问题。为了解决静态社会关系拓扑下社团时间不敏感的问题,研究了机会网络上社会关系拓扑时间敏感的动态演化,提出了一种基于马尔可夫链的机会网络社会关系拓扑预测模型。将机会网络运行时间划分为等长的时间片,在每个时间片内构建网络社会关系拓扑,并将社会关系拓扑分解为节点对之间的社会关系,使得对社会关系拓扑的分析化简为对节点对之间的社会关系的分析;由节点对在时间片序列中的相遇状态构成节点对社会关系状态序列,根据基于时间片序列的节点对相遇状态序列样本数据,建立了节点对相遇状态转移概率模型。实验结果表明,在时间敏感的机会网络社会关系中,该基于马尔可夫链的演化模型能够预测拓扑变化,准确率达到80%以上。

疏水复合薄膜接触角的测定

以杨氏公式为原理,在对具有不同润湿性的疏水复合薄膜进行接触角测量的实验基础上,通过建立数学模型对一些常用测定接触角的物理化学方法进行对比分析,以测试的结果为依据得到人为影响因素小,测量相对准确,易于实际操作的测量方法.结果表明,在一般实验条件下利用半球法测量接触角是一种科学、简捷的方法,如果辅助于液滴法,则测量结果更为精确.

结构缺陷对HgI_2晶体光吸收的影响

为研究HgI2晶体结构缺陷与光吸收的关系,测试了晶体的UV和中红外透过光谱。结果表明,波长约为580nm时,存在着本征吸收限;波长大于580nm时,随波长增加,晶体对光的吸收减小,透过率达到45%以上;在1000～2500nm范围内,UV光谱存在四个明显的光吸收带,对应的入射光能量分别为0.79±0.01eV,0.72eV,0.57±0.01eV和0.53eV。中红外透过曲线随波长增加而增大,透过率为39%～68%。通过M/HgI2的I～t曲线,采用简单能级模型进一步确认了生长的HgI2晶体存在0.79±0.01eV和0.72eV两个陷阱能级。分析认为,HgI2晶体层间的相对移动形成的结构缺陷造成1572.5nm(0.79±0.01eV)和1729.2nm(0.72eV)处的吸收,晶体缺碘造成2117.5nm(0.57±0.01eV)处的吸收和汞空位造成2305.8nm(0.53eV)的吸收。在中红外波段,晶体结构缺陷造成了显著的晶格吸收。严格控制原料的化学计量比有利于减少HgI2晶体的结构缺陷,提高晶体的光学性能。