基于体区自适应偏置技术的5G基站射频开关研制

为了解决传统射频开关的芯片面积大、性价比低且集成难度高的问题,研究并设计了体区自适应偏置技术方案,并基于该技术采用180 nm规格SOI(绝缘体上硅)CMOS芯片设计了一种承受功率大、插入损耗低的5G基站射频开关。在基于新技术的设计方案中,取消了开关管体区的偏置电阻。通过并联电容补偿的方式提高输入功率上限,实验结果表明,射频开关的承受功率平均值达20 W,插入损耗可降至0.43 dB,对于5G通信基站的信号增强和能耗降损具有十分重要的作用。