NbIrTe_(4)电子结构和非线性光学性质的第一性原理研究

通过第一性原理详细研究了第Ⅱ类外尔半金属NbIrTe_(4)的电子结构,计算了其拓扑表面态光谱。结果表明,NbIrTe_(4)的表面费米弧的连接性强烈依赖于材料终止表面的类型。对NbIrTe_(4)体光伏效应的研究结果表明,NbIrTe_(4)的位移电流响应在太赫兹范围出现较大的峰值,证明了其表面光电效应可被用于高效太赫兹光电探测器设计。

自驱动拓扑半金属NiTe_(2)太赫兹探测器

太赫兹在高速通信、生物医学、无损检测、空间探测和安全防护等众多领域有广阔的应用前景,然而高灵敏室温太赫兹探测器是其亟待解决的难题之一.新兴拓扑材料特殊的光电子学性质为太赫兹探测开辟了新路径.基于第一性原理计算第Ⅱ类狄拉克半金属NiTe_(2)的能带结构及拓扑表面态,采用机械剥离法得到NiTe_(2)纳米片,通过集成电路工艺制备金属-NiTe_(2)-金属场效应晶体管,并测量其太赫兹光电流响应.结果表明,室温下NiTe_(2)响应度可达2.44 A/W,噪声等效功率约为14.96 pW/Hz^(1/2),在零偏压自驱动下,响应度仍有2.25 A/W,噪声等效功率下降到9.55 pW/Hz^(1/2),可与同类探测器媲美,且具有较大的线性度范围,在空气中也具有良好的稳定性.该器件良好的性能对进一步促进室温太赫兹探测器实际应用及集成具有重要意义.