高压大电流MOSFET驱动器失效分析

为了保障军工、航天设备的可靠性,必须对其采用的高压大电流金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动器器件进行可靠性筛选测试[1-2]。介绍了MOS场效应晶体管制作的门电路驱动器的基本原理以及高压大电流MOSFET驱动器电路的主要参数和测试方法。重点介绍了测试设备在测试此类器件的电源电流过程,如果采用不同种类的仪表可能会产生瞬间大电流,造成器件击穿损坏的问题,面对器件这样的黑匣子,依据被测器件测试数据推理,合理解释测试过程中发生的问题,并对该类器件的击穿机理进行了失效分析,提出了如何在器件电源电流测试中避免造成器件损坏的方法,利用此方法解决此类器件的测试开发。

宇航用负载点电源器件测试技术研究

为了保障航天设备的可靠性,对TI公司MPD23774型抗辐照同步电压控制器进行可靠性筛选测试,在测试开发过程中样品器件被损坏后,进行了器件被击穿的机理分析,并针对大电流器件测试过程中如何避免毛刺问题,设计了先到安全电压再步进到设定值及设置电压源信号小带宽和避免热切换手段,结果器件在加电过程中的毛刺问题从原来超过7.8V下降到器件能承受的最大电压7V范围内,结果表明这种大电流器件测试方法有效及有用,并利用此方法解决了此器件的测试筛选。