B_2O_3添加剂对Ti_(1-x)Cu_(x/3)Nb_(2x/3)O_2(x=0.23)微波介质陶瓷结构与性能的影响

采用传统固相反应法制备了Ti1-xCux/3Nb2 x/3O2(TCN,x=0. 23),研究不同添加量氧化硼(B2O3)对TCN陶瓷的致密化、烧结特性及介电性能的影响。结果表明,添加B2O3烧结助剂能有效降低陶瓷的烧成温度,同时提高陶瓷的致密度;当B2O3的添加量从质量分数0. 0%到4. 0%变化时,陶瓷的最佳烧成温度从975℃降低到925℃。添加质量分数2. 0%B2O3的陶瓷最佳烧成温度为950℃,此时陶瓷具有优异的微波介电性能:εr=95. 7,Q·f=20600 GHz,τf=355×10-6℃-1。另外,氧化硼添加量对TCN陶瓷晶相结构未有影响,陶瓷晶相结构为金红石相。在TCN致密化过程中,三叉晶界处富集较高的Cu元素,且在晶界处有纳米晶与非晶相共存。

Bi_2O_3对Ti_(0.76)Cu_(0.08)Nb_(0.16)O_2微波介质陶瓷结构与性能的影响

采用传统固相反应法制备了Ti_(0.76)Cu_(0.08)Nb_(0.16)O_2(TCN),研究不同添加量Bi_2O_3对TCN陶瓷的致密化、烧结特性及介电性能的影响.结果表明:当Bi_2O_3的添加质量分数从0到4. 0%变化时,陶瓷的最佳烧成温度从975℃降低到925℃,同时TCN陶瓷的介电常数逐渐增大.在烧结致密化过程中,三叉晶界处有Bi元素富集,且在晶界处有纳米晶与非晶共存.另外,添加w(Bi_2O_3)为0. 5%的陶瓷最佳烧成温度为950℃,且具有优异的微波介电性能:εr=94. 34,Q×f=15700 GHz,τf=320×10^(-6)/℃.