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石墨烯材料在气体传感器中的应用 被引量:10
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作者 孙丰强 许适溥 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2013年第6期92-98,共7页
介绍了石墨烯作为气敏材料在气体传感器件中的应用特点,包括所用石墨烯的制备方法,不同方法合成的石墨烯在器件加工时的特点,不同类型的传感器对气体的检测情况,以及该类传感器的主要缺陷和改进的一些基本方法.结合作者的部分工作,指出... 介绍了石墨烯作为气敏材料在气体传感器件中的应用特点,包括所用石墨烯的制备方法,不同方法合成的石墨烯在器件加工时的特点,不同类型的传感器对气体的检测情况,以及该类传感器的主要缺陷和改进的一些基本方法.结合作者的部分工作,指出与半导体材料复合的方式代表了石墨烯在气体传感器领域应用的一个主要方向. 展开更多
关键词 石墨烯 气体传感器 气敏材料
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Bi2O2Se纳米带的气-液-固生长与高性能晶体管的构筑 被引量:1
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作者 谭聪伟 于梦诗 +9 位作者 许适溥 吴金雄 陈树林 赵艳 刘聪 张亦弛 涂腾 李天然 高鹏 彭海琳 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第1期256-262,共7页
作为一种具有高迁移率、高空气稳定性和带隙可调的二维材料,纳米硒氧化铋(Bi2O2Se)半导体有望成为未来电子学集成器件和光电子集成器件沟道材料的候选半导体。高质量的Bi2O2Se纳米带有望用于高性能晶体管的构筑;然而,其一维结构的合成... 作为一种具有高迁移率、高空气稳定性和带隙可调的二维材料,纳米硒氧化铋(Bi2O2Se)半导体有望成为未来电子学集成器件和光电子集成器件沟道材料的候选半导体。高质量的Bi2O2Se纳米带有望用于高性能晶体管的构筑;然而,其一维结构的合成方法尚未开发。在我们的研究中,我们在云母衬底上通过Bi催化汽-液-固生长机制合成了一维Bi2O2Se纳米带。合成的Bi2O2Se单晶纳米带的宽度为100 nm到20μm,长度可达亚毫米。再者,Bi2O2Se纳米带可以很容易地利用洁净转移方法被转移到Si O2/Si衬底上,并进一步制备成高性能场效应器件。Bi2O2Se纳米带场效应器件表现出优异的电学性质:室温电子迁移率高达~220 cm2·V-1·s-1,开关比高达>106,10μm沟道长度下电流密度高达~42μA·μm-1。由此说明,Bi2O2Se纳米带有望成为候选材料用于未来高性能晶体管的构筑。 展开更多
关键词 Bi2O2Se 气-液-固生长 纳米带 化学气相沉积 高迁移率
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