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基于InP DHBT的K波段高线性功率放大器
1
作者
许鑫东
郭润楠
张斌
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022年第2期109-113,共5页
基于1.6μm InP DHBT工艺,研制了一款MMIC高线性功率放大器。功率放大器采用两级结构,两级管芯皆偏置在AB类状态。功率放大器末级采用RC等效模型进行非线性匹配降低损耗,管芯基极采用自适应线性偏置技术提高线性度和温度稳定性。该芯片...
基于1.6μm InP DHBT工艺,研制了一款MMIC高线性功率放大器。功率放大器采用两级结构,两级管芯皆偏置在AB类状态。功率放大器末级采用RC等效模型进行非线性匹配降低损耗,管芯基极采用自适应线性偏置技术提高线性度和温度稳定性。该芯片的尺寸为2.0 mm×2.9 mm。装壳测试结果表明,在25.5~28.5 GHz频带内,饱和输出功率为23 dBm;经双音测试,输出功率回退2.5 dB后IMD3小于-30 dBc。
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关键词
INP
高线性功率放大器
微波单片集成电路
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职称材料
题名
基于InP DHBT的K波段高线性功率放大器
1
作者
许鑫东
郭润楠
张斌
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022年第2期109-113,共5页
文摘
基于1.6μm InP DHBT工艺,研制了一款MMIC高线性功率放大器。功率放大器采用两级结构,两级管芯皆偏置在AB类状态。功率放大器末级采用RC等效模型进行非线性匹配降低损耗,管芯基极采用自适应线性偏置技术提高线性度和温度稳定性。该芯片的尺寸为2.0 mm×2.9 mm。装壳测试结果表明,在25.5~28.5 GHz频带内,饱和输出功率为23 dBm;经双音测试,输出功率回退2.5 dB后IMD3小于-30 dBc。
关键词
INP
高线性功率放大器
微波单片集成电路
Keywords
InP
power amplifier with high linearity
MMIC
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于InP DHBT的K波段高线性功率放大器
许鑫东
郭润楠
张斌
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022
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