外延层组分界面状况的X射线双晶衍射测定

本文介绍了一种用Ｘ射线双晶衍射仪测定外延层与衬底界面状况并同时测定外延层点阵常数及组分的方法，只需测量三个衍射，并考虑了晶体表面偏离对称轴的影响．同时，引入了表征界面状态的界面共格因子，讨论了它的意义．实验结果表明：在测定大失配体系外延材料的组分时，同时测定外延层与衬底之间以及外延层与外延层之间的界面关系是必要的．

GaAs中Si^+注入的X射线双晶衍射研究

本文用X射线双晶衍射术,结合摇摆曲线的计算机模拟和电学测量,研究了 180keV Si+注入GaAs(100)样品及其退火过程中的结构变化.结果表明,注入态时Si原子基本上处在基体中的间隙位上,使点阵产生膨胀,在退火过程中逐渐进入替代位,但这一替代过程进行得并不彻底.当剂量高于 1×10^(13)cm^(-2)时,注入态就显著地产生了间隙Si原子进入替代位的过程.当剂量达到 1×10^(15)cm^(-2)时,经 800℃ 0.5 小时的炉退火仍然不能消除离子注入所引起的损伤和应变,大量Si原子留在间隙位上,使激活率难以提高.分析表明,空位和应力在Si原子从间隙位到替代位的过程中起了很大的作用,是GaAs中Si离子注入产生饱和现象的.主要原因.

单晶外延层厚度的X射线双晶衍射测定

本文在利用X射线动力学和运动学衍射理论对单晶外延层材料的双晶摇摆曲线进行计算分析的基础上,给出了测定单晶外延层厚度和质量的方法.当外延层的厚度较薄时,外延层衍射峰的衍射强度正比于厚度的平方,半峰宽反比于厚度.当厚度较厚时,衍射峰的强度增加逐渐趋于饱和,而半峰宽趋于材料的本征半峰宽.外延层的干涉小峰间距反比于外延层的厚度.通过测量样品的双晶摇摆曲线上干涉峰间距,峰强比和半峰宽可以求得外延层的厚度,并对外延层的质量做出评价.

医院信息系统的管理与网络安全

信息技术在众多社会领域中发挥至关重要的作用,而近年来人们对医疗水平的要求与日俱增,也促成医院计算机信息管理系统的建设与发展。医院通过建立一套专业的健康管理系统,收集住院及门诊患者、健康体检人群的检查、检验、问卷评估等医学数据,按照相关疾病诊疗指南,形成了一套集预防、诊断、治疗、随访、健康管理为一体的全周期医疗健康服务。文章就医院信息系统的管理与网络安全提出合理化建议,以期让更多的患者都能在医院感受到高效便捷的就诊服务,享受优质医疗资源。

成渝高速公路复线(重庆境)工程EPC管理规划

详细介绍了成渝高速公路复线(重庆境)工程EPC管理规划,分别阐述了EPC管理特色、EPC管理的主要内容、管理模式、管理理念及方法等内容,并对主要的管理措施作了具体说明,以期指导实践。

大数据时代医院信息化档案建设

科技的发展,高效高速地带动着我国基础设施的建设完善。在信息化时代,人们与大数据的关系越来越近,各行各业都依靠大数据来监测、分析、提炼相关的行业信息,而医院的档案管理也迫切需要依据数据时代赋能进行管理模式的转型。提升以信息化为核心标准的档案管理现代化能力,建立健全新型档案信息化管理方式,全面推进电子化、数字化、云化档案信息存储系统,是未来医院进行档案信息管理变革的主要方向。

不同生长温度下Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究

本文通过Ｘ射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Ｓｉ（００１）上生长的Ｇｅ０．５Ｓｉ０．５／Ｓｉ应变层超晶格的结构及其完整性，结果表明：在３５０－５５０℃的低温生长条件下，可生长出较高质量的超晶棺材料，并且在３５０℃时质量最好．在这些样品的生长过程中界面上产生了不同程度的失配位错，并与生长温度有关．周期厚度有４％以内的波动，层与层之间有轻微的混元，观察到了超晶格卫星衍射峰的分裂现象，并进行了讨论．

Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究

本文通过Ｘ射线双晶衍射和计算机模拟摇摆曲线方法研究了在Ｓｉ（００１）上生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ（ｘ≈０．４６）应变层超晶格在不同退火条件下的稳定性和结构变化，结果表明：在退火过程中，应变层发生了应变弛豫，其弛豫时间常数与退火温度有关，弛豫的激活能为０．５５ｅＶ．同时，退火过程中超晶格的层与层之间发生了互扩散，直至为均一成份的合金层，平均扩散激活能为２．７ｅＶ，９５０℃时的扩散系数ＤＴ＝９５０℃＝１．１×１０－２０ｍ２／ｓ．在退火过程中外延层的晶体完整性明显下降．

A NEW ICOSAHEDRAL QUASICRYSTAL IN A DUPLEX STAINLESS STEEL

A new icosahedral phase has been found in a duplex stainless steel,which is formed in the a-grains by precipitation tn the process of conventional ageing at 500℃.The icosahedral grains are strongly oriented with the a-matrix grains.

半导体应变超晶格结构与界面的X射线双晶衍射研究

本文应用X射线在畸变晶体中的动力学衍射理论,分析了超晶格衍射峰强度分布的规律,计算了应变超晶格中界面变化,层厚波动对双晶摇摆曲线的影响,并初步探讨了超晶格衍射峰之间的小峰消失以及衍射峰宽化的原因,研究表明,衍射峰强度分布依赖于超晶格周期中层厚、成份及应变的综合效果,界面和层厚波动将对摇摆曲线产生一定影响,而晶格弯曲是使衍射峰宽化的主要原因。

晶体表面畸变的X射线双晶衍射研究

本文介绍了表面畸变的晶体中X射线动力学衍射分层模型的计算原理和通过计算机模拟双晶摇摆曲线获得畸变层信息的方法,讨论了不同的双晶排列方式对摇摆曲线和模拟计算的影响,分析了畸变层内应变、损伤分布与摇摆曲线的关系,并以B^+注入Si(100)晶片为例,给出了模拟结果。

液相外延(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)石榴石单晶薄膜的X射线双晶衍射仪研究

本文用X射线双晶衍射仪和光学偏光显微镜对不同液相外延温度生长的(BiTm)(FeGa)_5O_(12)石榴石单晶薄膜进行了研究。发现随着生长温度的下降,薄膜的点阵常数增加,比法拉第旋转角θ_F增大。同时发现液相外延单晶石榴石薄膜是由点阵常数或取向略有差别的两层组成。当薄膜的晶格失配大于10^(-3)时薄膜将破裂。

KTP晶体中一种特殊缺陷的研究

研究发现,在KTP晶体中有一特殊的区域,在这一区域内,KTP晶体的倍频效率明显增加,本文借助于透射同步辐射(SR)白光形貌方法,对这一区域进行了研究,发现在这区域内有一面缺陷,在这面缺陷处由于杂质的积累,使晶格发生了微小畸变,从而使KTP晶体的倍频效率增加,并根据消光规律确定了该缺陷的最大应变方向R=<010>。

高完整Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格的X射线双晶衍射研究

本文用X射线双晶衍射技术对分子束外延生长的Ge_xSi(1-x)/Si应变超晶格的结构参数进行研究,分别采用X射线运动学理论和动力学理论对超晶格的双晶摆动曲线进行计算模拟,得出超晶格的全部结构参数;并对这两种理论计算模拟的结果进行比较,发现这两种理论计算的结果基本一致,只是在细微结构上略有差别,对高完整Ge_xSi(1-x)/Si超晶格,用动力学理论计算的曲线更接近于实验曲线。