d^3络合物EPR参量的双自旋－轨道耦合参数模型

提出一个计算三角对称下ｄ３络合物ＥＰＲ参量的双自旋－轨道耦合系数模型，并用于计算ＣｄＩ２：Ｖ２＋的ＥＰＲ参量，结果表明：在共价晶体中，对Ｉ－这类具有大的自旋－轨道耦合系数的配体离子，其对ＥＰＲ参量的贡献不可忽略，经典晶体场模型仅是双自旋－轨道耦合系数模型在一定条件下的近似．用双自旋－轨道耦合系数模型的计算结果与实验观测结果符合．

膜厚对直流磁控溅射Nb薄膜微结构的影响

采用直流磁控溅射方法制备膜厚为50,100,200,400,600 nm的Nb薄膜,对薄膜的沉积速率、表面形貌、晶体结构进行了研究,并对其应力和择优取向进行了详细的分析。原子力显微镜图像显示Nb膜表面光滑、致密,均方根粗糙度达到0.1 nm量级。X射线小角衍射给出了薄膜的晶格结构、晶粒尺寸和应力情况。分析表明薄膜为多晶体心立方结构(bcc),在(110)晶面方向存在明显的择优取向,且随着薄膜厚度增大而增强。Nb膜应力先随薄膜厚度增大而增大,在200 nm时达到最大值(为1.0151 GPa),后随薄膜厚度的增大有所减小。

溅射功率对碳化硼薄膜组分与力学性能的影响

采用射频磁控溅射技术,在不同溅射功率条件下制备了碳化硼薄膜,并用X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)对碳化硼薄膜的组分进行了定量表征,分析了功率变化对碳化硼组分的影响。利用纳米压入仪通过连续刚度法(CSM)对碳化硼薄膜的硬度和模量等力学性能进行了分析。研究表明:随着功率的增大,硼与碳更易结合形成B—C键,在功率增大到250 W时,B—C键明显增多;在250 W时,硼与碳的原子分数比出现了最大值5.66;碳化硼薄膜的硬度与模量都随功率的增大呈现出先增大后减小的趋势,且在250W时均出现了最大值,分别为28.22GPa和314.62GPa。

晶体(NH_4)_2C_4H_4O_6∶VO^(2+)的EPR参量及局域结构的研究

采用叠加模型和双旋-轨耦合参量模型,建立了结构参数与EPR参量之间的定量关系;较好地解释了[VO(H2O)5]2+络离子的局域结构和EPR参量;研究结果发现,(NH4)2C4H4O6:VO2+晶体中络离子[VO(H2O)5]2+的键长为R//≈0.130nm,R⊥≈0.195nm;在(NH4)2C4H4O6:VO2+晶体中,局域结构沿C4轴方向呈压缩的八面体结构;所得EPR参量的理论计算与实验测量数据符合很好。

硫酸–甲醇体系钨电解抛光的可行性研究

以硫酸–甲醇酸性体系作为电解液,对钨箔进行电解抛光研究。抛光后钨的表面均方根粗糙度和反射率的测试结果表明,该体系完全适用于金属钨的电化学抛光。对钨的阳极溶解行为进行了分析,讨论了溶液组成、槽电压、温度和搅拌速率对电抛光后钨表面粗糙度的影响。初步确定了金属钨电解抛光的工艺参数为:硫酸与甲醇的体积比1∶7,槽电压15～22 V,温度15～25°C,搅拌速率10 m/s。

Z扫描技术及其在材料学中的应用

以材料非线性光学性质的测试为基础,介绍了原始Z扫描技术的基本原理与数据处理;重点论述了双色时间分辨Z扫描技术的理论,并分析了它在材料光学非线性效应测试中展现的优越性以及应该注意的关键问题。根据Z扫描技术理论和实验的最新研究成果,总结了Z扫描技术的两条发展思路,即:CCD相机代替能量或功率计进行信号的采集和多种改进方法应用于实验测试。

工作气压对磁控溅射Mo膜的影响

采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1～0.5Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5～1.5Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大;Mo膜的表面粗糙度随工作气压的升高而增加;不同工作气压下制备的Mo膜为立方结构,在较低工作气压下薄膜结晶性能较好。

NaF薄膜的脉冲激光沉积法制备与结构研究

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了NaF薄膜。在激光重复频率2 Hz,能量密度3 J/cm2,本底真空度5×10-5Pa的条件下,研究衬底温度对薄膜沉积速率及结构的影响。台阶仪分析表明:薄膜的沉积速率随衬底温度增加呈指数函数增加,算出NaF薄膜的反应激活能为48.67 kJ/mol。原子力显微镜分析表明:薄膜致密而光滑,均方根粗糙度为0.553 nm。扫描电镜截面微观形貌分析表明:薄膜呈现柱状结构。X射线衍射分析表明:NaF薄膜为面心立方晶体结构,并具有显著的择优取向;当衬底温度约为400℃时,平均晶粒尺寸最大(129.6 nm),晶格微应变最小(0.225%)。

金属钨箔膜的制备研究进展

具有体密度的高表面质量金属钨薄膜对材料高压状态方程研究具有十分重要的意义。综述了钨箔膜制备的几种方法,包括化学气相沉积、物理气相沉积、机械轧制、机械研磨抛光、化学抛光和电解抛光。综合比较后认为,采用电解抛光法可以基本满足状态方程靶用钨箔膜的需要。电解抛光可以制备表面质量比较高,厚度最小可达几微米的金属箔材,密度与原料相同,而且不会产生内应力、表面硬化、表面沾污问题,是制备低表面粗糙度、具有块材组织结构和密度材料的一种重要手段。

掺杂晶体SrLaAlO_4:Cr^(3+)局域结构的研究

采用半自洽场(sem i-SCF)d轨道波函数模型和点电荷模型,利用高阶微扰公式,在晶体掺杂过渡金属离子后其结构对称性不会被破坏的条件下,由d-d跃迁光谱和EPR谱,确定SrLaA lO4:Cr3+晶体的局域结构。计算发现,掺入Cr3+后,晶体的键长为:R⊥′=0.1922nm,R′∥=0.2197nm.所得计算结果与实验值吻合得很好。

高校自考助学的特点、影响因素与管理模式探析

分析了高校自考助学的特点及影响因素,从端正助学思想、促进教育公平、科学认识文凭的功能定位入手,指出了高校自考助学管理模式创新的途径,提出了加强学生自主学习能力、自我管理能力、实践能力的培养,促进教学质量进一步提高的有效方法。

CdSe纳米晶薄膜的制备与特性研究

采用真空热蒸发技术,在光学玻璃基片上生长出排列整齐、高质量的CdSe纳米晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(IR)等进行表征。结果表明,薄膜结晶性能较好,纳米晶颗粒约为40～70 nm,呈半月状,排列整齐;化学元素配比为49.4∶50.6,稍微富Se;红外透过率高,禁带宽度为1.89 eV,高于块状的CdSe晶体(1.70 eV)。

CdX_2(X=Cl、Br):Ni^(2+)晶体的吸收光谱和EPR谱的统一解释

本文考虑3d电子<eg>和<t2g>轨道局域性差异和配体旋-轨耦合作用的影响,在晶体场理论和电子顺磁共振理论基础上,采用d轨道模型,推导出了3d2/d8电子组态在D3d对称下的广义能量矩阵,利用双共价因子双旋-轨耦合EPR谱高阶微扰公式,统一解释了CdX2(X=Cl、Br):Ni2+晶体的吸收光谱和EPR谱。

孔雀石和蓝铜矿的局域结构和吸收光谱的研究

在晶体场理论的基础上,采用半自洽场(Semi-SCF)自由Cu2+的d轨道模型和点电荷模型,建立了过渡金属离子矿物晶体的局域结构和吸收光谱之间的定量关系,统一的解释了孔雀石和蓝铜矿的局域结构和Cu2+的不同占位时的吸收光谱,所得理论计算结果与实验值一致,同时在理论上预测了它们的顺磁g因子,这为进一步研究孔雀石和蓝铜矿的结构、光学、磁学、热学及高压等性质提供了理论依据。

RbMgF_3:Ni^(2+)体系晶格局域结构的EPR理论研究

在考虑掺杂晶体局域畸变的影响后,建立了联系RbMgF3:Ni2+体系的局域畸变结构与EPR谱间的关系,并计算了RbMgF3:Ni2+晶体在C3v和D3d对称下的零场分裂参量和g因数.EPR谱的理论计算值与实验值符合甚好.

物理教育系列课课程设计

物理教育系列课程是 2 1世纪物理教育专业的三大主干系列课程之一 ,该系列课程的特点是要充分突出师范性与教育性 .通过对 82至 96届毕业生的调查分析 ,发现原有的课程设置难以适应时代的发展和学生的实际需求 ,必须对旧课程进行改造并增设必要的新课程 .运用教学设计基本理论并结合调查结果 ,设计出物理教育系列课程 :《微机物理教学》、《教育、心理理论与应用》、《教育技术理论与应用》、《中学物理课堂教学与设计》、《物理教学论》、《中学物理教学研究》.在物理系列课程建立的同时 ,应注意教材编写的系统性和相应的教师队伍的建设 .

掺Cr^(3+)晶体SrLaGaO_4和Cs_2CdCl_4的EPR理论研究

根据晶体场理论,考虑到掺杂过渡金属离子的半径和价态与基质离子的差异,初步建立四角晶场中杂质离子局域结构崎变模型。并采用半自洽场d轨道模型、EPR参量高阶微扰方法、局域结构模型和点电荷模型,在强场图象中解释了掺Cr3+晶体SrLaGaO4和Cs2CdCl4的EPR谱(零场分裂参量D值以及g因子)。理论计算值与实验数据吻合较好,表明过渡金属离子局域结构伸缩模型是合理的,可运用到四角对称的其他晶体谱学特性研究。

NaF薄膜的结构与应力分析

采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(100)衬底上生长了NaF薄膜．分别用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的微观结构、表面形貌以及薄膜应力进行了表征与分析．AFM测试结果表明,低激光能量密度下制备的薄膜表面均匀、致密,均方根粗糙度(Rms)仅为0．538 nm;XRD分析结果表明,用脉冲激光沉积方法制备的氟化钠薄膜在(222)晶面有明显的择优取向．应力分析薄膜的残余应力为压应力,应力大小随激光能量密度的增加而增加;XPS分析结果表明,热蒸发制备的NaF薄膜氧含量明显高于PLD方法制备的NaF薄膜的氧含量．热蒸发方法制备的薄膜中的氧含主要来源于水中的氧,PID方法制备的薄膜中的氧主要来源于游离态氧,说明PLD方法制备的薄膜不容易潮解．

Ni(en)_3[Ni(en)_2Ag_2(NCS)_6]·H_2O晶体的吸收光谱和EPR谱的研究

采用半自洽场(semi-SCF)d轨道模型和点电荷模型,建立起了过渡金属离子晶体局域结构、吸收光谱与EPR谱之间的定量关系,应用高阶微扰的方法,引入平均共价因子N,统一的解释了ENST晶体中过渡金属Ni2+在D4h对称的伸长和压缩八面体时的吸收光谱、顺磁g因子和零场分裂D的值,其计算结果与实验发现较好的符合,同时本文还确定了实验中测得的零场分裂D的符号以及在实验中未测得的部分吸收光谱的值。

CsCl:Cr和CsBr:Cr的光谱和g因子的理论研究

文用参量化轨道理论和双自旋轨道耦合系数模型计算了掺Cr3+的CsCl和CsBr晶体的光谱和顺磁 g因子 。