退火温度对ZnO/PZT薄膜结构及电阻率的影响

采用射频反应磁控溅射法在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了ZnO薄膜,利用X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测试系统等对不同退火温度下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明,退火温度600℃的ZnO薄膜(002)择优取向较好,晶粒大小均匀,表面平整致密。随着退火温度的增大,电阻率先下降后升高,600℃时ZnO薄膜电阻率达最小。

径向振动压电变压器的研究进展

介绍了径向振动压电变压器的原理、结构及等效电路,综述了该变压器在材料研究、结构设计、驱动电路的发展趋势,展望了其在冷阴极管及DC-DC变换器等方面应用发展方向。

溅射功率对AlN薄膜结构形貌的影响

采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用X线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN薄膜的结构及形貌进行了分析表征。结果表明:在一定范围内,随着溅射功率的增大,薄膜厚度增加,晶粒逐渐长大,表面粗糙度也随之增大;AlN(002)择优取向改善明显,120W时达到最佳。

我国绿色专利法律调控机制研究

为应对气候变暖,发达国家通过不断完善绿色专利方面的法律法规、推行强制许可制度等措施,形成了绿色技术领域各具特色的保护模式,有力推动了绿色专利的发展。然而,目前我国绿色专利的立法、司法和国际制度环境均不完善,与发达国家相比存在诸多不足。从法律调控角度出发,研究了美、日、英等绿色专利强国的实践,通过借鉴发达国家法律调控经验,结合我国绿色专利存在的问题,提出应从提高立法保障水平、完善执法保护体制、合理实施强制许可、建设快速通道等方面促进我国绿色专利发展。

技术创新产业化的保障机制研究——以江苏省为例

知识经济时代,地区与地区之间的竞争越来越体现在技术创新及其产业化的竞争。近年来,江苏省技术创新产业化成就显著,但仍存在着转化率低、转化效益差等问题,这些问题的出现与产业化保障机制不成熟有着密切的联系。结合江苏省实际,从政府公共服务机制、政策保障机制、政策协同机制等角度提出推动技术创新产业化的对策建议。

衬底温度对AlN/ZnO复合薄膜结构形貌的影响

采用直流反应磁控溅射法在ZnO/Si基片上制备了良好(002)(c轴)取向的AlN薄膜,利用XRD、AFM对不同衬底温度下制备的AlN薄膜的结构、形貌进行了分析表征。结果表明,在一定温度范围内(450～650℃),随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,沉积速率增大,表面粗糙度先减小后增大;AlN(002)择优取向呈改善趋势,取向度先增大后减小,600℃时达到最佳。