射频放大器前馈技术仿真

为了满足现代无线通信对放大器线性度的要求,需要对射频放大器的线性度进行优化．讨论了前馈技术的原理和方法。并用ADS软件进行了仿真,利用前馈技术优化的放大器,线性度改善了40 dB以上,表明前馈技术对改善放大器的线性度效果明显。

基于高电阻率衬底的Si/SiGe HBT(英文)

介绍了一种基于电阻率高达1000Ω.cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制。首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典型直流电流增益为120,BVCEO为9.0V,fT为10.2GHz,fmax为5.3GHz,比同结构尺寸的常规N+衬底Si/SiGeHBT的fT和fmax分别高出3.9GHz和1.5GHz。