期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
硅基太赫兹功率放大器研究进展
1
作者
谢克南
李英杰
+1 位作者
张浩
王科平
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第6期467-479,共13页
太赫兹技术在探测、成像及通信等领域已展现出良好的应用前景,硅基太赫兹系统因为具有低成本、小尺寸、高集成度及易于实现大规模阵列化的优点受到广泛关注。太赫兹功率放大器是硅基太赫兹系统中的重要模块,决定系统的能耗、最大辐射距...
太赫兹技术在探测、成像及通信等领域已展现出良好的应用前景,硅基太赫兹系统因为具有低成本、小尺寸、高集成度及易于实现大规模阵列化的优点受到广泛关注。太赫兹功率放大器是硅基太赫兹系统中的重要模块,决定系统的能耗、最大辐射距离和信号质量,近年来硅基太赫兹功率放大器设计得到了长足的发展。本文将从太赫兹技术的应用场景与功率放大器在太赫兹收发系统中的地位、硅基太赫兹功率放大器的关键技术指标和设计难点、基于CMOS/CMOS SOI工艺的太赫兹功率放大器研究进展、基于SiGe工艺的太赫兹功率放大器研究进展四个方面对硅基太赫兹功率放大器的研究现状和技术发展趋势进行综述总结。
展开更多
关键词
太赫兹波
硅基功率放大器
CMOS
CMOS
SOI
SiGe
BiCMOS
下载PDF
职称材料
题名
硅基太赫兹功率放大器研究进展
1
作者
谢克南
李英杰
张浩
王科平
机构
天津大学微电子学院
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第6期467-479,共13页
基金
国家自然基金资助项目(62371332,61774035)。
文摘
太赫兹技术在探测、成像及通信等领域已展现出良好的应用前景,硅基太赫兹系统因为具有低成本、小尺寸、高集成度及易于实现大规模阵列化的优点受到广泛关注。太赫兹功率放大器是硅基太赫兹系统中的重要模块,决定系统的能耗、最大辐射距离和信号质量,近年来硅基太赫兹功率放大器设计得到了长足的发展。本文将从太赫兹技术的应用场景与功率放大器在太赫兹收发系统中的地位、硅基太赫兹功率放大器的关键技术指标和设计难点、基于CMOS/CMOS SOI工艺的太赫兹功率放大器研究进展、基于SiGe工艺的太赫兹功率放大器研究进展四个方面对硅基太赫兹功率放大器的研究现状和技术发展趋势进行综述总结。
关键词
太赫兹波
硅基功率放大器
CMOS
CMOS
SOI
SiGe
BiCMOS
Keywords
terahertz wave
silicon⁃based power amplifiers
CMOS/CMOS SOI
SiGe BiCMOS
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅基太赫兹功率放大器研究进展
谢克南
李英杰
张浩
王科平
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部