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硅基太赫兹功率放大器研究进展
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作者 谢克南 李英杰 +1 位作者 张浩 王科平 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第6期467-479,共13页
太赫兹技术在探测、成像及通信等领域已展现出良好的应用前景,硅基太赫兹系统因为具有低成本、小尺寸、高集成度及易于实现大规模阵列化的优点受到广泛关注。太赫兹功率放大器是硅基太赫兹系统中的重要模块,决定系统的能耗、最大辐射距... 太赫兹技术在探测、成像及通信等领域已展现出良好的应用前景,硅基太赫兹系统因为具有低成本、小尺寸、高集成度及易于实现大规模阵列化的优点受到广泛关注。太赫兹功率放大器是硅基太赫兹系统中的重要模块,决定系统的能耗、最大辐射距离和信号质量,近年来硅基太赫兹功率放大器设计得到了长足的发展。本文将从太赫兹技术的应用场景与功率放大器在太赫兹收发系统中的地位、硅基太赫兹功率放大器的关键技术指标和设计难点、基于CMOS/CMOS SOI工艺的太赫兹功率放大器研究进展、基于SiGe工艺的太赫兹功率放大器研究进展四个方面对硅基太赫兹功率放大器的研究现状和技术发展趋势进行综述总结。 展开更多
关键词 太赫兹波 硅基功率放大器 CMOS CMOS SOI SiGe BiCMOS
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