Pmn21结构Li2VSiO4电子结构性质

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Pmn21-Li2VSiO4的结构参数、电荷密度与差分电荷密度、能带结构.结果发现,Pmn21-Li2VSiO4材料结构具备较好的结构稳定性;从电荷密度和差分电荷密度图可以看出,Li2VSiO4材料的电子键形成特点是离子键和共价键的混合;考虑自旋极化,计算得到自旋向上和自旋向下的电子能带结构,能带的带隙分别为1.75 eV和5.1 eV,用分波态密度分析了能带结构形成机理.

大屏幕拼接显示行业发展浅析

随着国家政策对信息技术发展的不断倾斜,国民人身安全作为永恒的议题,围绕安防行业视频监控延伸出的整条产业链市场规模仍在逐年加大,大屏幕拼接行业的技术必将迎来新的突破和升级。