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微型喷管内气体流动的流量壅塞现象 被引量:8
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作者 丁英涛 谢君堂 仲顺安 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1086-1089,共4页
基于MEMS微加工工艺,在硅片上加工出带有内部测压孔的微型喷管,其喉部宽度为20μm,深度为240μm,扩张比为1.7,采用实验研究和数值计算相结合的手段研究了微型喷管内气体的流动特性.研究结果表明:保持进口压力不变,不断降低背压,当喉部... 基于MEMS微加工工艺,在硅片上加工出带有内部测压孔的微型喷管,其喉部宽度为20μm,深度为240μm,扩张比为1.7,采用实验研究和数值计算相结合的手段研究了微型喷管内气体的流动特性.研究结果表明:保持进口压力不变,不断降低背压,当喉部马赫数达到0.8时,内部流动出现了质量流量壅塞现象.此时对应的壅塞临界压比为0.650;同时发现,当进出口压差为48 kPa和66 kPa时,喉部下游扩张段出现了局部超声速环.这些异于常规喷管流动特性的现象主要归因于微型喷管内较大的粘性耗散. 展开更多
关键词 微型喷管 流量壅塞 数值计算 声速点
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微管道内剪应力传感器的研制与优化 被引量:3
2
作者 丁英涛 仲顺安 谢君堂 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期251-254,共4页
基于微机电系统(MEMS)微加工工艺,开发了一种能够测量微管道内壁面剪应力的热式传感器,以多晶硅为热敏元件,在低阻硅衬底上形成多孔硅膜隔离硅衬底损耗.利用水浴加热方法测量得到电阻温度系数为0.21%/℃.采用数值模拟的方法对剪应力传... 基于微机电系统(MEMS)微加工工艺,开发了一种能够测量微管道内壁面剪应力的热式传感器,以多晶硅为热敏元件,在低阻硅衬底上形成多孔硅膜隔离硅衬底损耗.利用水浴加热方法测量得到电阻温度系数为0.21%/℃.采用数值模拟的方法对剪应力传感器进行了热分析,探讨了提高剪应力传感器灵敏度和线性度的方法,为优化其设计和使用提供了理论基础.数值模拟结果表明:随着微管道深度的增加,传感器灵敏度提高,但线性度下降. 展开更多
关键词 微电子机械系统 剪应力传感器 多晶硅 多孔硅
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微型剪应力传感器的热特性分析 被引量:2
3
作者 丁英涛 逯海波 +1 位作者 仲顺安 谢君堂 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期427-430,共4页
研究不同结构、不同热敏元件温度和不同工作介质等情况下剪应力传感器的性能差异.通过实验和数值模拟相结合的方法对剪应力传感器进行了热特性分析.数值模拟结果发现:采用热敏元件下部埋置真空空腔的结构,隔热效果最佳;选择相对较高的... 研究不同结构、不同热敏元件温度和不同工作介质等情况下剪应力传感器的性能差异.通过实验和数值模拟相结合的方法对剪应力传感器进行了热特性分析.数值模拟结果发现:采用热敏元件下部埋置真空空腔的结构,隔热效果最佳;选择相对较高的热敏元件温度和较高热物性系数的工作气体有助于获得较高的灵敏度.该结果对优化设计微型剪应力传感器具有通用的指导意义. 展开更多
关键词 微电子机械系统 剪应力传感器 灵敏度 热敏元件
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基于图像灰度平均值法的多组大鼠糖刺激比较研究
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作者 潘丽敏 谢君堂 +2 位作者 张新丽 罗森林 张铁梅 《中国医学影像技术》 CSCD 北大核心 2007年第4期616-619,共4页
目的针对于不同实验条件的6组(对照组、老年组、肥胖组、DC组、DL组、DH组)大鼠fMRI数据,分析其饮葡萄糖后在大脑下丘脑区域发生抑制反应上的特征差异。方法在无需先验知识的情况下,利用IAM方法进行多组实验。结果大鼠饮葡萄糖后在大脑... 目的针对于不同实验条件的6组(对照组、老年组、肥胖组、DC组、DL组、DH组)大鼠fMRI数据,分析其饮葡萄糖后在大脑下丘脑区域发生抑制反应上的特征差异。方法在无需先验知识的情况下,利用IAM方法进行多组实验。结果大鼠饮葡萄糖后在大脑下丘脑区域发生抑制反应,反应起始时间平均为饮葡萄糖后12.6min;增龄造成下丘脑对糖刺激的抑制反应减退,用药可以有一定的改善作用,使其反应有所恢复,但达不到完全恢复;肥胖组大鼠下丘脑对葡萄糖刺激所致的抑制反应开始时间明显延迟,抑制程度也有所减低。结论利用IAM方法可以方便、快捷获取不同实验组间的差异特征,大鼠下丘脑对腹腔注射葡萄糖刺激后的抑制反应及其因喂饲条件及年龄不同所产生的差别。 展开更多
关键词 磁共振成像 功能性 灰度平均值法 大鼠
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纳米硅薄膜材料在场发射压力传感器研制中的应用 被引量:2
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作者 廖波 谢君堂 +5 位作者 仲顺安 王静静 张大成 李婷 郝一龙 罗葵 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2003年第3期205-208,共4页
设计研制了一种基于量子隧道效应机制的场发射压力传感器原型器件,用CVD技术制备了粒径为3~9 nm,厚度为30~40 nm的纳米硅薄膜,并同时把这种低维材料引入到传感器阴极发射尖锥的制作,形成纳米硅薄膜为实体的发射体结构.用HREM及TED分... 设计研制了一种基于量子隧道效应机制的场发射压力传感器原型器件,用CVD技术制备了粒径为3~9 nm,厚度为30~40 nm的纳米硅薄膜,并同时把这种低维材料引入到传感器阴极发射尖锥的制作,形成纳米硅薄膜为实体的发射体结构.用HREM及TED分析了纳米硅态的显微特性,用场发射扫描电子显微镜SEM分析了发射体及阵列的微观结构,用HP4145B晶体管参数测试仪考察了传感器件的场发射特性.实验结果表明,当外加电场为5.6×103V/m时,器件有效区域发射电流密度可达53.5A/m2. 展开更多
关键词 纳米硅薄膜材料 场发射压力传感器 场发射特性 量子隧道效应机制 电流密度
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