谢常青作品欣赏

点评历经多年的艺术实践,谢常青早已形成自己独特的油画艺术语言,其笔下之风景总可敏锐捕捉到画面光感的迷离、笔触的律动及色彩的多变,这些艺术符号皆是画者内在修养及艺术情怀的外化,随着画笔的挥动,一曲无言的自然赞歌缓缓奏响,他将内在意蕴直抒于画布,真实生动地再现大自然的美好,宁静而致远,直接而纯粹的天地之美直击人心。

连平县湿地保护现状问题及对策

湿地作为生态系统中的重要组成部分,是重要的战略生态资源。生态优势是山区县最具竞争力的优势,其基础是森林资源和湿地资源。湿地保护作为生态文明建设的重要内容,也是绿美广东建设的热点。为了给山区县的湿地保护修复工作提供科学依据,以粤东北的典型山区县连平县为例,通过分析连平县湿地资源的情况、特点和存在的问题,针对性地提出实施小水电站分类整改,拓展湿地资源利用方式;完善湿地保护体系建设,实施湿地保护工程建设;加大资金投入力度;建立健全湿地管理体制等对策。

人类不成熟卵母细胞体外成熟影响的因素初探

为研究在自然月经周期中获得的人类不成熟卵母细胞 -放射冠 -卵丘细胞复合体体外成熟培养条件 ,作者从手术切除的卵巢组织获取不成熟卵母细胞 -放射冠 -卵丘细胞复合体 ,分别置于 90 % Ham' F-1 0 + 1 0 %灭活人血清 + FSH+ h CG(模拟卵泡液 )与 5 0 %Ham' F-1 0 + 5 0 %人类成熟卵泡液中培养 48h。结果显示 ,卵母细胞 -放射冠 -卵丘细胞复合体在两种体外成熟培养基中培养 48h后 ,成熟率分别为 41 .8%和 2 1 .1 % ,两者之间存在统计学差异 (P<0 .0 5 )。作者还比较了在前一种培养基中卵母细胞 -放射冠 -卵丘细胞复合体和裸卵的体外成熟率 ,分别为 41 .8%和 7.6% ,两者间存在统计学差异 (P<0 .0 0 5 )。将获取的不成熟卵母细胞 -放射冠 -卵丘细胞复合体按供者年龄分成 2 5～ 3 5岁组和 3 6～46岁组 ,比较此两组卵母细胞在前一种培养基中成熟率 ,分别为 5 7.1 %和 2 5 .0 % ,两者间在统计学上有显著性差异 (P<0 .0 1 )。结果提示 :不成熟卵母细胞 -放射冠 -卵丘细胞复合体可在模拟卵泡液中培养成熟 ,优于 5 0 % Ham' F-1 0 + 5 0 %人类成熟卵泡液 ;卵丘细胞包裹对于卵母细胞体外成熟有重要作用 ;供卵者年龄可影响卵母细胞的体外成熟率。

应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术

PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被用于制作PHEMT器件,因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声。对几种常用的制作深亚微米T形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、X射线光刻技术进行了比较分析。对于光学光刻技术,通常需要采用移相和光学邻近效应校正技术,它的制作成本低,但是很难用于制作深亚微米T形栅;对于电子束光刻技术,通常需要采用高灵敏度和低灵敏度的多层胶技术,虽然它的栅长可以制作到非常小,但是它的生产成本非常高,而且它的生产效率非常低;对于X射线光刻技术,它不仅可以用于制作深亚微米T形栅,而且它的生产效率非常高,T形栅的形状可以非常容易控制。

193nm与x射线光刻技术比较

分别从光源、照明系统、掩模、光刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面对１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术进行了对比分析，介绍了目前它们的一些进展情况，并对它们的应用前景进行了简要分析。

50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计

X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于 100nm 同步辐射 X 射线光刻系统而言,它采用的波长通常为 0.7—1.0nm,而当光刻分辨率达到 50nm 以下时,采用的同步辐射 X 射线波长范围应该为 0.2—0.4 nm。探讨了在北京同步辐射 3B1A 光刻束线上进行 50nm X 射线光刻的可能性。

X射线光刻技术应用现状与前景

鉴于接近式X射线光刻技术具有高分辨率、大焦深、大曝光像场、高产量、大工艺宽容度、易于扩展到50nm及50nm以下规则等诸多优点,它非常适合应用于100nm及100nm以下集成电路的生产。本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术(PXL)现状,再分别介绍X射线光刻技术在纳米电子学研究、单片微波集成电路(MMIC)生产、硅基超大规模集成电路生产中的应用现状与前景,并对国内的X射线光刻技术的近期研究进展进行了简要介绍。

同步辐射x射线光刻实验研究

采用侧墙工艺技术研制深亚微米ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射ｘ射线曝光实验。

衍射光学元件成套制造技术研究进展

从图形数据处理、先进光刻、图形转移和大面积高可靠集成4方面开展衍射光学元件关键制造技术研究。在兼容标准CMOS工艺的基础上,提出了高精度、多功能(高保真、高深宽比、高面形、多元化衬基等)、大面积衍射光学元件成套制造技术。研发了精度优于2 nm的复杂图形光刻数据处理体系,提出了混合光刻方法,建立了加法(剥离、电镀)和减法(干法刻蚀、金属辅助化学刻蚀)两种类型、四种图形转移基础方法。实现了从微米尺度到亚10 nm尺度的图形生成,高宽比达12∶1的25 nmAu结构和深宽比达500∶1的30 nmAl_(2)O_(3)纳米管图形转移。在熔石英、多层膜、SiC自支撑薄膜、高面形硅片等衬基上大面积集成制造了多种衍射光学元件,最大面积为142 mm×142 mm,最大自支撑口径达70 mm,最高面形精度PV值达0.03λ,覆盖了可见光到硬X射线波段衍射光学元件的制造需求,能够应用于先进光刻机、同步辐射、激光聚变及X射线天文学中。

新闻图片失实现象透视

在受众已经步入读图时代的今天，新闻图片以其特有的表现功能成为新闻报道的一个重要手段。但新闻图片必须像文字报道一样遵循新闻报道的基本原则，才能成为人们可以信赖的信息载体。因此，我们不能忽视当前发生在新闻图片报道中的失实现象。

同步辐射X射线光刻实验研究

同步辐射X射线光刻是一种很好的深亚微米图形复制技术。本文报道了北京同步辐射装置3BlA光刻束线上的曝光结果，并对X射线掩模的制作工艺作了简要介绍。

同步辐射X射线光刻计算机模拟研究

利用BeamPropagationMethod（BPM）方法研究了深亚微米同步辐射X射线光刻中的掩模吸收体的光导波效应，并且利用瑞利-索末非理论对光刻胶表面的空间像光强分布进行了计算。研究结果表明基尔霍夫边界条件不宜用于计算0.25μm以下光刻分辨率的空间像光强分布。研究结果还表明北京同步辐射装置3BlA光刻束线的光刻分辨率可以达到0．1μm，而且这时金吸收体厚度为0．45μm就可以了，而不是通常认为的1．0μm。

新闻琐碎化——平民化报道中的不良倾向

(一) 当上世纪90年代<东方时空@百姓故事>明明白白地宣称要"讲述老百姓自己的故事"之时,平民化报道就有了强有力的擎旗之手.在此之前的中国媒体,理念上总是把受众作为传播链条中的次要环节看待,是接受媒体宣传教育的对象,很少考虑将平民百姓及其生活列为报道的对象和主体.

0.5μm分辨率同步辐射X射线光刻技术

报道了用 Ｘ 射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置（ Ｂ Ｓ Ｒ Ｆ）３ Ｂ Ｉ Ａ 光刻束线获得的 ０５μｍ 光刻分辨率的实验结果。

第二代接近式X射线光刻技术

介绍了第二代PXL的原理和影响光刻分辨率的关键因素,当第二代PXL工艺因子为0.8时,对于50 nm及35 nm节点分辨率,掩模与硅片的间距可以分别达到10μm和5μm,表明第二代PXL具有很大的工艺宽容度;分析了纳米X射线掩模的具体结构、制作工艺和成本,相对于其竞争对手,在100 nm节点及其以下,X射线掩模的制造难度和成本是比较低的,而且随着电子束直写X射线掩模能力的进一步提高,X射线掩模更具优势;对几种常用的X射线光刻胶性能进行了分析,高性能的X射线光刻胶的研发不会成为PXL发展的障碍;对步进光刻机和X射线光源进行了论述,X射线点光源的研究进展对于第二代PXL的发展至关重要;最后介绍了第二代接近式X射线光刻的研究现状,尽管PXL的工业基础比起其它下一代光刻来说要好得多,但是比起光学光刻还差得很远,第二代PXL是否真正为硅基超大规模集成电路生产所接受目前还不得而知。