Al及Al-Si膜在MOSIC上的应用

本文报导用钨丝加热法蒸发布线,采取了适当措施,研制出052单片微处理器与国外同类产品808OACPU相当。又用Al-Si薄膜布线,研制成功短沟道HMOS21级环形振荡器及多晶自对准FETMOS电路。

LSI中的金属化工艺

钨丝加热法蒸发纯Al,采用“U”型状,在我国首先研制出双极LSI。为了缩小芯片面积,防止浅结漂发射区工艺纯Al布线后造成EB结短路,研制成功钨丝加热法蒸发Al-Si薄膜。为进一步缩小芯片面积,采用双层布线工艺,又研制成功钨丝加热法蒸发Al-Cu-Si合金膜。本文主要介绍三种薄膜蒸发工艺及应用。

铝铜硅膜的制备及应用

硅器件和集成电路中广泛使用铝实现低阻的欧姆接触和内部互连线.长期的生产和实践证明铝金属化系统是成功的.小功率晶体管以及一般双极型数字电路,由于EB结较深,所以可以采用纯铝作为联线,在合金化时只要温度适当,不会烧坏EB结.但在中大规模电路及大功率管中,为了缩小芯片面积和提高性能,往往采用浅扩散和漂发射区工艺,而EB结短路成为主要困难,大部分短路现象是发生在铝硅合金化以后.为了解决这问题。

亚ns高速双极ICU型槽隔离多晶硅填槽工艺

双极集成电路要实现超大规模集成化和高速化,一方面要缩小元件尺寸,另一方面必须改进元件之间的隔离方法.用U型槽隔离技术不仅缩小了实际晶体管的尺寸,而且使寄生电容减小到最低限度,从而提高了电路的性能.基区-发射区(顶部n^+区)面积比已经减小到2,而标准pn结隔离,典型的比值为10,氧化层隔离结构,此比值为5.