不同接线方式下介质阻挡放电的电气特性

为了研究不同接线方式对介质阻挡放电(DBD)电气特性的影响,降低表面放电等离子体的能耗,设计了一种新型微等离子体发生器,并对其在3种不同接线方式下的放电特性(包括Lissajous图形,放电功率、放电传输电荷、气隙电压等参数)进行了测量和比较。结果表明:有一个正面电极悬浮时,放电传输电荷和功率是两极接线方式下的一半,有效减少了放电能耗,并且此方式不等同于增大电极间距;背面电极悬浮时,起始放电电压和放电气隙电压都较高,但是放电传输电荷和放电功率均较小。

介质阻挡放电忆阻特性分析

为了研究介质阻挡放电放电间隙的伏安特性,搭建同轴介质下介质阻挡放电的电路模型,研究其放电过程中的电压和电流关系从而得到其伏安特性曲线,对放电过程中的气体电压、放电电流和电荷变化进行分析。搭建忆阻器Matlab仿真模型,仿真得到忆阻器的伏安特性曲线,对忆阻器电气特性进行分析。通过分析比较发现介质阻挡放电过程中具有忆阻特性。

交直流电压下微间隙气体放电特性研究

为深入研究不同间距的电极在交直流电压作用下的放电机理,搭建基于微间隙精密距离控制的放电试验研究平台,测量不锈钢电极在1~100μm间距下的击穿电压,绘制击穿电压曲线,并与巴申曲线进行对比,发现1~5μm时与巴申曲线并不相符;随着间距增大,5~100μm时击穿电压变化趋势与巴申曲线大致相同。通过计算可知,1~5μm间距下的击穿场强达到108 V/m。根据测量的击穿电压曲线,估算出有效电子产额,分析其对约化电场E/p与电场倒数之间的依赖关系,发现1~5μm间隙时,场致电子发射主要取决于高场强。最后研究不同间距与场致电子发射电流密度之间的关系,并通过F-N理论分析1~5μm间隙时击穿电压偏离巴申曲线的原因,证明场致电子发射对此起了决定作用。

微腔结构介质阻挡放电的仿真与实验研究

为了深入研究微腔结构介质阻挡放电(MDBD)的放电机理,搭建了基于介质板表面网格微结构电极装置的实验平台。在分析MDBD微放电过程的基础上,提出了基于电压控制电流源(VCCS)的等效电路来模拟MDBD微放电气隙的动态变化。利用Matlab建立动态仿真模型,并对MDBD的放电特性进行仿真,得到了MDBD放电时的电压电流波形和Lissajous图形。同时,对MDBD的放电特性进行实验研究,并将仿真与实验结果进行对比,验证了MDBD动态仿真模型的准确性。进而利用仿真模型分析计算了不同电压幅值下平均放电功率和放电通道传输电荷量,结果表明,通过仿真计算和实验测量得到的结果及其变化规律是一致的。

出发

慷慨的太阳赐予原野无尽的阳光，黄灿灿的稻浪在秋风中翻涌，夹杂着诱人的香气，令人窒息。望着远处在田里忙碌的父亲，我茫然无措，原本无知的心不安地搐动起来。