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第一性原理计算V-Al共掺杂CrSi_2的光电特性
被引量:
8
1
作者
闫万珺
张忠政
+4 位作者
郭笑天
桂放
谢泉
(
指导
)
周士芸
杨娇
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期183-189,共7页
采用第一性原理赝势平面波方法,对V-Al共掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了理论计算,并与未掺杂、V、Al单掺杂CrSi2的光电性能进行了比较。结果表明:V-Al共掺杂会增大CrSi2的晶格常数a和b,体积相应增大。V-Al:CrSi2是p型...
采用第一性原理赝势平面波方法,对V-Al共掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了理论计算,并与未掺杂、V、Al单掺杂CrSi2的光电性能进行了比较。结果表明:V-Al共掺杂会增大CrSi2的晶格常数a和b,体积相应增大。V-Al:CrSi2是p型间接带隙半导体,带隙宽度为0.256eV,介于V、Al单掺杂CrSi2之间;费米能级附近的电子态密度主要由Cr-3d、V-3d、Si-3p、Al-3p轨道杂化构成。与未掺杂的CrSi2相比,V-Al:CrSi2的静态介电常数和折射率增大,εi(ω)在低能区有一个新的跃迁峰。在光子能量为5eV附近,εi(ω)的跃迁峰强度大幅减弱,吸收系数和光电导率明显降低,吸收边略有红移,平均反射效应减弱。V的掺入会削弱Al单掺杂的电子跃迁,V-Al共掺杂可以对CrSi2的能带结构和光学性质进行更精细的调节。
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关键词
材料
V—Al共掺杂CrSi2
电子结构
光学性质
第一性原理
原文传递
题名
第一性原理计算V-Al共掺杂CrSi_2的光电特性
被引量:
8
1
作者
闫万珺
张忠政
郭笑天
桂放
谢泉
(
指导
)
周士芸
杨娇
机构
安顺学院电子与信息工程学院
贵州大学电子信息学院
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期183-189,共7页
基金
国家自然科学基金(61264004)
贵州省科技厅自然科学基金(20102001)
+1 种基金
贵州省教育厅科研项目(2012056
2011278)
文摘
采用第一性原理赝势平面波方法,对V-Al共掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了理论计算,并与未掺杂、V、Al单掺杂CrSi2的光电性能进行了比较。结果表明:V-Al共掺杂会增大CrSi2的晶格常数a和b,体积相应增大。V-Al:CrSi2是p型间接带隙半导体,带隙宽度为0.256eV,介于V、Al单掺杂CrSi2之间;费米能级附近的电子态密度主要由Cr-3d、V-3d、Si-3p、Al-3p轨道杂化构成。与未掺杂的CrSi2相比,V-Al:CrSi2的静态介电常数和折射率增大,εi(ω)在低能区有一个新的跃迁峰。在光子能量为5eV附近,εi(ω)的跃迁峰强度大幅减弱,吸收系数和光电导率明显降低,吸收边略有红移,平均反射效应减弱。V的掺入会削弱Al单掺杂的电子跃迁,V-Al共掺杂可以对CrSi2的能带结构和光学性质进行更精细的调节。
关键词
材料
V—Al共掺杂CrSi2
电子结构
光学性质
第一性原理
Keywords
materials
V-AI co-doped CrSi2
electronic structure
optical properties
first principles
分类号
O474 [理学—半导体物理]
O472.4 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
第一性原理计算V-Al共掺杂CrSi_2的光电特性
闫万珺
张忠政
郭笑天
桂放
谢泉
(
指导
)
周士芸
杨娇
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
8
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