GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制

制作并研究了GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱台面条形单模波导电致吸收光调制器。量子阱宽度为100A,长度为700μm的器件,当传输光波长为8650A时TE偏振最大调制深度(开关比)为29.7dB,插入损耗吸收分量为3dB;TM偏振最大调制深度为28.5dB。用2V电压幅度可以得到15dB的开关比。光电导谱的测量表明,偏压从+0.5V变到-7V时吸收边的红移为600A,即量子阱中室温激子的共振吸收峰移动了96meV。单阱高场条件下首次观察到了导带第二能级电子和价带第一能级空穴间激子的共振吸收线的出现,增强和移动。

用面对面叠加法实现芯片的3D集成

面对面芯片叠加使一颗芯片置于另一颗芯片的倒装凸块阵列中,从而极大减小了封装厚度。POSSUMTM封装是指两颗或多颗芯片用面对面的方式叠加,其中较小的芯片置于较大芯片上没有互联倒装凸块的区域。较小的芯片在薄化后通过铜柱微块组装到较大的芯片上。因此,薄化了的较小芯片和它的铜柱微块的总体高度就比其附着的较大芯片的倒装凸块经回流后的高度要低很多。一旦组装完毕,较小芯片就被有效地夹在上面的较大芯片和下面的基板中,同时被一环或多环倒装锡凸块包围。底部填充剂的使用同时保证了铜柱和无铅锡凸块在测试和使用中的可靠性要求。因为信号在两颗芯片的表面运行,所以互连线极短,可以实现近距离信号匹配,和小电感的信号传输。这种面对面芯片叠加方式保证了很好的芯片间信号传输的完整性,是穿硅孔(TSV)封装技术的低成本的有效替代。

BOLOMETRIC MEASUREMENT OF RESONANT SURFACE PLASMON EXCITATION AT A SILVER SURFACE

A new method for measuring surface plasmon(SP)at a metal surface is presented.When exciting a surface plasmon at a metal surface,the metal film will be heated by SP,which leads to changes in its resistance;therefore,the dispersion of SP can be measured by this change.This method has several advantages:it is simpler,convenient,more sensitive and reliable than other known methods,and capable of using nonpolarized light.

新型的倍压和全波整流复合式交流预电离CO_2激光器电源

本文介绍一种利用倍压和全波整流复合的新型电路所研制的CO_2激光器电源。使用该电源不仅可使CO_2激光器的输出激光功率从0到满功率范围连续可调,输出激光平均功率的起伏小于±5％,而且可使CO_2激光器以脉冲和连续两种状态工作。

一种获得GaAs/GaAlAs多量子阱材料带边附近折射率色散关系的方法

本文提供了一种在GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)材料的直接带边附近折射率参数色散关系的获得方法。其特点是在多层介质膜系统中用光学传递矩阵对MQW进行处理的基础上引入室温激子振荡因子,然后对材料的实验反射谱进行拟合。这种色散关系对于光电器件设计及其理论期望来讲是十分重要的。这种方法除能得到折射率实部与虚部的色散关系外,还可得到激子共振吸收谱。

光栅耦合波导模共振实现GaAs/GaAlAs多量子阱室温反射型光学双稳

一、概述 多量子阱(MQW)及超晶格(SL)等人工材料的问世使半导体非线性光学效应从低温扩展到了室温,为高速度、低阈值及室温工作的光学逻辑元件提供了可能。 对于GaAs/GaAlAs MQW及SL材料,其室温三阶非线性系数X_csu^(3)约为6×10^(-2),比CS_2大10~9倍,比Si大10~4倍,预示着它具有很低的本征光学双稳(OB)阈值.80年代初,Gibbs等人利用这种材料制成超薄的F-P光学腔,在室温首次观测到OB,其开阈～1mW/

新型的倍压和全波整流复合式直流电源

本文介绍半波倍压和全波整流复合及全波倍压和全波整流复合两种新型的直流电源电路．该电路具有全波整流电路和倍压电路的共同特性，用它不仅可装成适合气体放电特性等特殊要求的电源，而且用此两种电路对维修某些电器设备与仪器也是简便实用的．

阻抗自调控CO_2激光器电源

本文介绍一种采用阻抗自调控限流电路的ＣＯ２激光器电源，它可使ＣＯ２激光器的输出激光功率从零到满功率大范围连续可调，能得到小纹波甚至无纹波的激光束．