离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用

本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、电阻率、迁移率和晶粒大小。对影响电路参数的多晶Si与单晶Si之间的界面氧化层、多晶Si厚度和晶粒大小作了较详细的分析,指出极薄界面氧化层的存在影响As从多晶Si向单晶Si的扩散,也有利于发射效率的提高。最后给出D.I2902电路的工艺流程和基本电参数。

新奇粒子和奇特物质的实验探索

根据理论预言及实验兴趣,我们设计了一系列实验,对轴子、重中微子、磁单极子、小电荷粒子和超重核块进行寻找。本文系统地报告这一系列实验工作,并且给出这些新奇粒子和奇特物质的限。

用卢瑟福背散射方法研究陨石中的超重核块

用卢瑟福背散射方法研究了不同陨石中的超重核块.实验结果表明,在这些陨石样品中,具有Z≈100,A≈1000的超重核块的相对浓度上限为2ppm.