中温BaO-TiO_2-Nd_2O_3系陶瓷的结构和介电性质研究

应用SEM,EDAX和XRD等技术,研究了中温烧结的BaO-TiO_2-Nd_2O_3系陶瓷的结构和介电性质。实验结果表明,该系统的主晶相是三元化合物BaNd_2Ti_5O_(14)。在这一系统中分别掺入适量的PbO和2Bi_2O_3·3TiO_2获得了优良的中温热稳定独石电容器瓷料;引入不同量的CaTiO_3可得到一系列不同α_3的热补偿独石电容器瓷料。

Nd_2O_3掺杂BaTiO_3陶瓷的结构和电性能研究

研究了组份为Ｂａ＿（１－ｘ）Ｎｄ＿ｘＴｉＯ＿３（ｘ＝０．００２～０．０４）陶瓷的结构和电性能。实验结果表明：当０．００２≤ｘ≤０．００４时，轻度Ｎｄ＿２Ｏ＿３掺杂的ＢａＴｉＯ＿３陶瓷呈半导性；而当０．０１２≤ｘ≤０．０４时呈绝缘性。ＢａＴｉＯ＿３陶瓷的室温电阻ρ＿ｖ随Ｎｄ￣（３＋）含量的变化呈Ｕ型特性曲线。组份为Ｂａ＿（０．９９７０）Ｎｄ＿（０．００３０）ＴｉＯ＿３的材料具有最低的ρ＿ｖ和最佳的ＰＴＣＲ效应，相应于最大的平均晶粒尺寸（ＡＧＳ）和最大的介电常数ε。高角度峰（００４），（４００）和低角度峰（００２），（２００）的Ｘ射线衍射研究证明：轴比ｃ／ａ和单元晶胞体积Ｖ随Ｘ的增加而减小，相应的晶格结构从四面体变成立方体。由ＳＥＭ照片显示了晶粒尺寸对Ｎｄ￣（３＋）含量的依赖关系。此外，也分析了Ｎｄ￣（３＋）含量对结构和电性能的影响。

（Ba_（1－x）Nd_x）TiO_3系陶瓷的电性能

研究了不同Ｎｄ３＋浓度（０．１ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％）掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷的电性能．结果表明，当Ｎｄ３＋浓度为０．１ｍｏｌ％～０．２ｍｏｌ％时，轻度Ｎｄ３＋掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷是半导性，而当Ｎｄ３＋为０．６ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％时呈绝缘性．ＢａＴｉＯ３陶瓷室温下的体电阻车ρＶ随Ｎｄ３＋浓度的变化呈Ｕ型特性曲线，当Ｎｄ３＋＝０．１５ｍｏｌ％时材料具有最低的ρＶ和最佳的正温系数（ＰＴＣＲ）效应，相应于最大的平均晶粒尺寸ＡＧＳ和介电常数ε。随着Ｎｄ３＋浓度的增加．材料的ε和居里常数Ｃ下降，同时ε与Ｃ值密切相关．ＳＥＭ照片显示了Ｎｄ３＋含量对材料晶粒尺寸的强烈影响．此外，还分析了ＺｒＯ２对（Ｂａ１－ｘＮｄｘ）ＴｉＯ３系陶瓷电性能的影响．

中温BaO-TiO_2-Nd_2O_3-PbO系陶瓷的结构和介电性能

研究了中温烧结的BaO-TiO_2-Nd_2O_3-PbO系陶瓷的结构和介电性能,在BaO-TiO_2-Nd_2O_3系中加入适量的PbO可获得ε_r=75,a_ε=(0±10)×10^(-6)/℃,tgδ=3×10^(14),ρ≥10^(14)Ω·cm的中温热稳定MLC瓷料。通过样品的SEM、EDAX和XRD分析证明此种类型陶瓷的主晶相是三元化合物BaNd_2Ti_5O_(14),同时也观察到Nd_2Ti_2O_7和PbTiO_3等附加相的存在。

中温热补偿MLC陶瓷

本文研究了ＢａＯ－ＴｉＯ＿２－Ｎｄ＿２Ｏ＿３（ＢＴＮ）系陶瓷的结构和介电性质。在该系统中加入适量的玻璃和添加剂，获得了一系列中温热补偿独石电容器（ＭＬＣ）陶瓷，实验结果证实：当Ｔｉ／Ｂａ＝１．００３时，ＢＴＮ系陶瓷的居里温度（Ｔ＿ｃ）随Ｎｄ＿２Ｏ＿３含量的增大而产生逐步漂移。用ＸＲＤ确定了陶瓷的主晶相，ＳＥＭ照片显示出晶粒尺寸对Ｎｄ￣（３＋）含量的依赖关系，分析了Ｔｉ／Ｂａ比对陶瓷介电系数温度系数（α＿ε）的影响。通过改变Ｎｄ＿２Ｏ＿３含量和Ｔｉ／Ｂａ比可调节ＢＴＮ系的介电常数（ε）和α＿ε。此外，也讨论了ＣａＴｉＯ＿３对ＢＴＮ系电性能的影响。

(Na_(1/2)Bi_(1/2))TiO_3-SrTiO_3无铅压电陶瓷的介电、压电性能

研究了 (Na1 / 2 Bi1 / 2 ) Ti O3- Sr Ti O3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr2 +的引入对 NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度 TF A(180°C)以及居里温度 TC(30 0°C)的影响都不大 ,但却较大幅度地降低了 NBT材料的高矫顽场 ,从而使极化相对容易。(Na1 / 2 Bi1 / 2 ) Ti O3- Sr Ti O3二元系的压电性能参数 d33和 kt分别达到 10 0 p C/N和 0 .

压敏电阻陶瓷材料的研究进展

详细介绍了目前国内外研究最多的低压压敏陶瓷材料(ZnO系、BaTiO3系、TiO2系、WO3系)、电容–压敏陶瓷材料(SrTiO3系、TiO2系)及高压–压敏陶瓷材料(ZnO系、SnO2系)等的基本配方、制备工艺、性能及主要应用等。还讨论了我国在压敏电阻器研究与生产方面所存在的问题及今后的研究方向。

A位非等配比对(NaBi)_(0.5(1-x)(Ba) _x TiO_3 性能的影响

研究了A位非等配比——过量Bi3+(Bi3+:Na1+>1:1)对(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3材料的介电、压电性能的影响。随着引入的过量Bi3+的增加,材料的介电常数和损耗均呈先下降后增大的现象。当Bi3+∶Na+=52∶48时,(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3复合材料的d33、kt值都达到最大值。

ABO_3型氧化物的结构与性能及其应用

总结了 ABO3型氧化物可能具有的各种晶体结构类型 ,以及由此产生的宏观电、光、声学性能。讨论了 ABO3型功能晶体和具有 ABO3型结构主晶相的功能陶瓷材料在现代电子信息、航空航天、国防军事等领域的应用与前景。

BaO-TiO_2-Sm_2O_3系陶瓷结构与介电性能研究

研究了 Ba O- Ti O2 - Sm2 O3(BTS)系材料的结构和介电性能。实验结果证明 :在富 Ti O2 区的 BTS系中 ,随着 Ba O/Sm2 O3摩尔比的增加 ,材料的介电常数ε和介电常数的温度系数αε发生变化 ,XRD分析证明这是因为材料的主晶相发生变化所致。当 Ba O/Sm2 O3=1.33时 ,可获得具有超低损耗的热稳定微波陶瓷材料 ,其主晶相为Ba Sm2 Ti4 O1 2 。

La_2O_3-TiO_2系陶瓷物相与介电性能研究

固相法合成La2 O3 TiO3 系陶瓷介质材料 ,XRD、SEM、EDS分析其结构、形貌和成分。高精度电容测量仪测试其介电性能。La2 O3/TiO2 比 1∶2、2∶9组分可获得极低介质损耗 ,XRD分析主晶相为La2 Ti2 O7和La4 Ti9O2 4 。La2 O3/TiO2 比 1∶3组分可获得La2 / 3TiO3、La4 Ti9O2 4 复相。缺陷型钙钛矿相La2 / 3TiO3不利于介质损耗降低。EDS分析表明晶界富集Si杂质 。

NBT基无铅压电陶瓷滤波器

主要研究了用改性的(NaBi)_(0.5) TiO_3(NBT)基无铅压电材料制作的压电陶瓷滤波器。在研究过程中出现很多不同于以往的情况,这些一方面是由于NBT基材料与传统PZT基材料的介电性能有较大差异造成的,另一方面说明NBT基材料的压电性能较PZT基材料还有进一步提高的必要。

NBT-NaNbO_3-BaTiO_3无铅压电材料的研究

主要研究了(NaBi)0.5TiO3-NaNbO3-BaTiO3三元系无铅压电材料的介电、压电性能。随着第三种材料BaTiO3引入量的增加,三元系材料的介电常数和损耗均出现增大的现象。当n(Ba2+)=0.02mol时,三元系材料的压电常数d33、机电耦合系数kt值都达到最大值100pC/N和0.41。

片式多层元件新技术概论

根据多层瓷介电容器的结构特征，全面概括了“独石”结构广泛应用于片式元件设计与制造的新趋势，重点论述了多层压敏电阻器，多层热敏电阻器，多层电感元件，多层复合元件等片式无源元件，引入独石结构较传统结构在性能上的显著改进和技术上的重大突破，总结了片式多层元件技术与应用的新进展。

BaO-TiO_2-Nd_2O_3-La_2O_3系陶瓷结构与介电性质研究

在BaO-TiO2-Nd2O3(BTN)系材料中以La2O3部分取代Nd2O3后构成BaO-TiO_2-Nd_2O_3-La_2O_3(BTNL)系的结构和介电性能。实验结果证实，随着La2O3和Nd2O3摩尔比的增加，介电常数的温度系数((下降，用XRD分析证明是因为BaLa2Ti4O12和La2Ti2O7相的增加所致。在BTNL系中加入适量的添加剂可获得中温下烧结的具有超低损耗的微波陶瓷材料，可用于研制微波独石电容器。

BaTiO_3基抗还原陶瓷材料的研究

研究了 Ba Ti O3基抗还原陶瓷材料的结构和介电性质 ,讨论了 Zr O2 、Mn O和 BT系中摩尔比 m对瓷料抗还原性能和介电性能的影响 .通过调整上述参量并加入适量的添加剂 ,获得了在氮气中烧成并符合 F组性能要求的 Ba Ti

尖晶石结构功能材料的新进展

从尖晶石型化合物结构的正反属性及反位程度等微观机理出发 ,论述了若干门类的尖晶石结构功能材料的磁性、介电、敏感特性 ,以及在电子、信息、通信、家电、航空、航天、军事、仪器、仪表、自动化等广阔领域应用的最新进展。

BNT系纳米粉体的制备及微波特性研究

使用柠檬酸盐法成功制备出分散良好的颗粒状BNT系纳米粉体。经TEM和XRD分析,粉体的平均粒径约30 nm,其主晶相为Nd2Ti2O7,经1 300℃烧结成瓷后还出现了BaNd2Ti4O12相。此类材料具有良好的高频特性,用此类材料研制出的单片微波陶瓷电容器具有良好的微波特性。

新型片式元器件在电子信息技术领域的应用

综述了片式元器件的最新发展动态。重点讨论了现代电子信息产业全面促进新型片式元器件在体积微型化、结构复合化，以及在高频段、精密微调等高性能化应用方面的新进展。

BaO-La_2O_3-TiO_2纳米粉体制备及介电性能研究

采用醇盐水解溶胶-凝胶法成功制备出分散性良好的BaO-La2O3-TiO2(BLT)系纳米粉体材料,其平均粒径约为30 nm。X-射线(XRD)分析表明,用此类粉体烧制的陶瓷材料其主晶相为La2Ti2O7,副相为Ba-La2Ti4O12。该粉体烧结成瓷后表现出良好的介电性能。