期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Layered kagome compound Na_(2)Ni_(3)S_(4)with topological flat band
1
作者 叶君耀 林益浩 +4 位作者 王浩哲 宋志达 冯济 谢韦伟 贾爽 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第5期153-159,共7页
We report structural and electronic properties of Na_(2)Ni_(3)S_(4),a quasi-two-dimensional compound composed of alternating layers of[Ni_(3)S_(4)]^(2-)and Na^(+).The compound features a remarkable Ni-based kagome lat... We report structural and electronic properties of Na_(2)Ni_(3)S_(4),a quasi-two-dimensional compound composed of alternating layers of[Ni_(3)S_(4)]^(2-)and Na^(+).The compound features a remarkable Ni-based kagome lattice with a square planar configuration of four surrounding S atoms for each Ni atom.Magnetization and electrical measurements reveal a weak paramagnetic insulator with a gap of about 0.5 eV.Our band structure calculation highlights a set of topological flat bands of the kagome lattice derived from the rotated dxz-orbital with C_(3)+T symmetry in the presence of crystal-field splitting. 展开更多
关键词 kagome lattice flat band
下载PDF
三电平断续脉宽调制策略的研究 被引量:6
2
作者 张兴 谢韦伟 +1 位作者 王付胜 任康乐 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2013年第10期4-6,共3页
针对传统三电平空间矢量脉宽调制(SVPWM)策略开关损耗大、共模电压高的缺点,提出一种三电平断续脉宽调制(DPWM)策略,并从矢量合成思想角度分析其开关损耗和共模电压的特性,证明该调制策略在降低开关损耗和抑制共模电压方面均具有较为明... 针对传统三电平空间矢量脉宽调制(SVPWM)策略开关损耗大、共模电压高的缺点,提出一种三电平断续脉宽调制(DPWM)策略,并从矢量合成思想角度分析其开关损耗和共模电压的特性,证明该调制策略在降低开关损耗和抑制共模电压方面均具有较为明显的优势。在此基础上,提出了一种基于载波思想的DPWM实现方法,该方法无需进行扇区判断和复杂的几何运算,有利于提高CPU的运行效率。最后,搭建一台10 kW三电平光伏并网逆变器实验平台,并在该平台上对DPWM策略进行实验研究,结果证明了分析结论的正确性,所提出的DPWM载波实现方法与矢量合成方法完全等效,且简单可行。 展开更多
关键词 调制策略 开关损耗 共模电压 断续脉宽调制
下载PDF
层状化合物MnSb_(2)Te_(4)中的玻璃磁基态 被引量:1
3
作者 李昊 李耀鑫 +5 位作者 连宇坤 谢韦伟 陈玲 张金松 吴扬 范守善 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第2期477-485,共9页
作为MnBi_(2)Te_(4)的姊妹化合物,高质量的MnSb_(2)Te_(4)单晶可以通过固态反应法合成;而由于MnSb_(2)Te_(4)的热亚稳性,长时间的退火和狭窄的退火温区是合成的关键.单晶X射线衍射分析结果说明MnSb_(2)Te_(4)具有与MnBi_(2)Te_(4)类似... 作为MnBi_(2)Te_(4)的姊妹化合物,高质量的MnSb_(2)Te_(4)单晶可以通过固态反应法合成;而由于MnSb_(2)Te_(4)的热亚稳性,长时间的退火和狭窄的退火温区是合成的关键.单晶X射线衍射分析结果说明MnSb_(2)Te_(4)具有与MnBi_(2)Te_(4)类似的晶体结构,由七个原子层的Te-Sb-Te-Mn-Te-SbTe的层状结构单元沿面外方向以ABC顺序堆叠而成.但是,与MnBi_(2)Te_(4)相比,MnSb_(2)Te_(4)显示出更为严重的阳离子互占位,表现为Mn(3a)位上的28.9(7)%Sb反位缺陷和Sb(6c)位上的19.3(6)%的Mn反位缺陷,这种原子分布的变化能够为MnBi_(2)Te_(4)家族材料带来新的磁学特性.与MnBi_(2)Te_(4)的反铁磁性质不同,MnSb_(2)Te_(4)在低于24 K的温度下展现出玻璃磁基态,并且在弱的外加磁场下很容易被诱导至铁磁态.通过静态和动态磁学测量,我们详细研究了MnSb_(2)Te_(4)的磁滞行为、磁各向异性和磁弛豫过程.此外,通过输运测量,我们证明了合成的MnSb_(2)Te_(4)晶体是p型导体,并且能够呈现出反常霍尔效应.MnSb_(2)Te_(4)的不同于MnBi_(2)Te_(4)的磁学特性与Sb-Te层产生的潜在拓扑特性相互作用,有望突破反铁磁MnBi_(2)Te_(4)家族材料中实现量子输运现象的奇数或者偶数的层数限制,为新奇的量子物理学的探索带来新的可能. 展开更多
关键词 量子物理学 层状化合物 反常霍尔效应 磁各向异性 磁学特性 反位缺陷 原子层 磁弛豫
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部