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纳米折叠InGaN／GaNLED材料生长及器件特性 被引量：5
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作者 陈贵锋 谭小动 +7 位作者 万尾甜 沈俊 郝秋艳 唐成春 朱建军 刘宗顺 赵德刚 张书明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期508-511,共4页
在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上,利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)的LED结构外延片,进而制作了LED器件.外延片上中下游的光致荧光测试,结果表明外延片具有很好的均匀性.用该外延片制作的LED的电致... 在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上,利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)的LED结构外延片,进而制作了LED器件.外延片上中下游的光致荧光测试,结果表明外延片具有很好的均匀性.用该外延片制作的LED的电致发光谱,随注入电流增加没有明显蓝移,这表明纳米结构能更好地释放应力,纳米柱上外延生长的多量子阱,具有较低的压电极化电场.正向工作电流20mA时,LED器件的工作电压为4.6V. 展开更多
关键词 纳米柱LED 光致发光 电致发光
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