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超高压SiC电力电子器件及其在电网中的应用
被引量:
8
1
作者
邓小川
谭犇
+3 位作者
万殊燕
吴昊
杨霏
张波
《智能电网》
2017年第8期733-741,共9页
碳化硅(SiC)作为近年来备受关注的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率以及高电子饱和漂移速度等良好的物理和电学特性。宽禁带半导体SiC电力电子器件,突破了传统硅基器件在耐压、工作频率以及转换效率等方面的...
碳化硅(SiC)作为近年来备受关注的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率以及高电子饱和漂移速度等良好的物理和电学特性。宽禁带半导体SiC电力电子器件,突破了传统硅基器件在耐压、工作频率以及转换效率等方面的性能极限,从而使电力系统功耗降低30%以上,在"大容量柔性直流输电"、"高效高体积功率密度电力电子变压器"等未来新一代智能电网领域具有非常广泛的应用前景。首先介绍超高压碳化硅电力电子器件在智能电网中应用的重要性,对近年来国内外超高压碳化硅电力电子器件(>10 kV)的结构设计、研制水平、最新进展以及其面临的挑战进行分析总结,并对超高压碳化硅电力电子器件在智能电网中的应用及未来的发展前景做出概述与展望。
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关键词
碳化硅
超高压
电力电子器件
智能电网
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职称材料
基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究
2
作者
宋瓘
白云
+3 位作者
顾航
陈宏
谭犇
杜丽霞
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2018年第10期17-21,共5页
提出了一种1200V 4H-SiC CIMOSFET优化结构。该结构在JFET区引入P型注入,以降低栅氧化层电场,提高器件的可靠性;在积累区引入N型注入,以降低器件的比导通电阻,提高器件的电流能力。通过Silvaco软件进行仿真,对器件各项参数优化,并对器...
提出了一种1200V 4H-SiC CIMOSFET优化结构。该结构在JFET区引入P型注入,以降低栅氧化层电场,提高器件的可靠性;在积累区引入N型注入,以降低器件的比导通电阻,提高器件的电流能力。通过Silvaco软件进行仿真,对器件各项参数优化,并对器件性能进行简要说明与分析,与传统1200V 4H-SiC MOSFET相比,其比导通电阻增加0.59mΩ·cm^2,V_(DS)=1200V时,栅氧化层电场强度下降1.52MV/cm。
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关键词
4H-SIC
MOSFET
CIMOSFET
比导通电阻
栅氧化层电场
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职称材料
抓住机遇 迎接挑战 成就辉煌——对广西北流供电公司如何做好企业法人代表的调研报告
3
作者
谭犇
玉洪
《广西电业》
2009年第3期12-15,共4页
随着农电体制改革和发展,县级供电企业历经县级国有企业、代管国有企业和现行的整体上划子公司闰有企业的农电体制改革历程,企业进入快速发展的态势,突出体现在电网建设、企业管理、人才队伍和企业文化建设等方面都发生巨大变化:在...
随着农电体制改革和发展,县级供电企业历经县级国有企业、代管国有企业和现行的整体上划子公司闰有企业的农电体制改革历程,企业进入快速发展的态势,突出体现在电网建设、企业管理、人才队伍和企业文化建设等方面都发生巨大变化:在市场经济条件下,面对当前农电体制改革形势,对县级供电企业法人有着更高的要求,作为子公司的县级供电企、№法人代表如何做好,是事关企业长足发展的决定性因素,因此,是需要我们共同思考和探索的一个课题。通过参加广西电网公司县级供电企业领导干部隐性知能显性化体验式培训班五天的学习和实践,我们针对如何做好企业法人代表这一课题,
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关键词
国有企业
法人代表
供电公司
县级供电企业
农电体制改革
调研
西北
市场经济条件
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职称材料
学做版画
4
作者
谭犇
《小学生导刊(中年级版)》
2019年第3期74-75,共2页
美术组的同学跟谭老师一起学习制作版画。我们在木板上雕刻齐白石的家乡。一进美术室,我就看见年轻漂亮的谭老师。她是湖南科技大学美术雕刻专业的老师。这节课她将教我们制作版画的第一步——刻板。谭老师让我们穿上围裙,教室里的伙伴...
美术组的同学跟谭老师一起学习制作版画。我们在木板上雕刻齐白石的家乡。一进美术室,我就看见年轻漂亮的谭老师。她是湖南科技大学美术雕刻专业的老师。这节课她将教我们制作版画的第一步——刻板。谭老师让我们穿上围裙,教室里的伙伴们一个个变成小工匠了。
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关键词
版画
制作
教室
老师
大学美术
雕刻
湖南
原文传递
题名
超高压SiC电力电子器件及其在电网中的应用
被引量:
8
1
作者
邓小川
谭犇
万殊燕
吴昊
杨霏
张波
机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
全球能源互联网研究院
出处
《智能电网》
2017年第8期733-741,共9页
基金
国家重点研发计划(2016YFB0400500)~~
文摘
碳化硅(SiC)作为近年来备受关注的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率以及高电子饱和漂移速度等良好的物理和电学特性。宽禁带半导体SiC电力电子器件,突破了传统硅基器件在耐压、工作频率以及转换效率等方面的性能极限,从而使电力系统功耗降低30%以上,在"大容量柔性直流输电"、"高效高体积功率密度电力电子变压器"等未来新一代智能电网领域具有非常广泛的应用前景。首先介绍超高压碳化硅电力电子器件在智能电网中应用的重要性,对近年来国内外超高压碳化硅电力电子器件(>10 kV)的结构设计、研制水平、最新进展以及其面临的挑战进行分析总结,并对超高压碳化硅电力电子器件在智能电网中的应用及未来的发展前景做出概述与展望。
关键词
碳化硅
超高压
电力电子器件
智能电网
Keywords
SiC
ultra high voltage
power electronic device
smart grid
分类号
TM76 [电气工程—电力系统及自动化]
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究
2
作者
宋瓘
白云
顾航
陈宏
谭犇
杜丽霞
机构
兰州交通大学电子与信息工程学院
中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心
出处
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2018年第10期17-21,共5页
基金
国家重点研发计划项目(2016YFB0100601)
文摘
提出了一种1200V 4H-SiC CIMOSFET优化结构。该结构在JFET区引入P型注入,以降低栅氧化层电场,提高器件的可靠性;在积累区引入N型注入,以降低器件的比导通电阻,提高器件的电流能力。通过Silvaco软件进行仿真,对器件各项参数优化,并对器件性能进行简要说明与分析,与传统1200V 4H-SiC MOSFET相比,其比导通电阻增加0.59mΩ·cm^2,V_(DS)=1200V时,栅氧化层电场强度下降1.52MV/cm。
关键词
4H-SIC
MOSFET
CIMOSFET
比导通电阻
栅氧化层电场
Keywords
4H-SiC
MOSFET
CIMOSFET
specific on-resistance
gate oxide field
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
抓住机遇 迎接挑战 成就辉煌——对广西北流供电公司如何做好企业法人代表的调研报告
3
作者
谭犇
玉洪
机构
广西电网公司县级供电企业领导干部体验式培训班第一组
出处
《广西电业》
2009年第3期12-15,共4页
文摘
随着农电体制改革和发展,县级供电企业历经县级国有企业、代管国有企业和现行的整体上划子公司闰有企业的农电体制改革历程,企业进入快速发展的态势,突出体现在电网建设、企业管理、人才队伍和企业文化建设等方面都发生巨大变化:在市场经济条件下,面对当前农电体制改革形势,对县级供电企业法人有着更高的要求,作为子公司的县级供电企、№法人代表如何做好,是事关企业长足发展的决定性因素,因此,是需要我们共同思考和探索的一个课题。通过参加广西电网公司县级供电企业领导干部隐性知能显性化体验式培训班五天的学习和实践,我们针对如何做好企业法人代表这一课题,
关键词
国有企业
法人代表
供电公司
县级供电企业
农电体制改革
调研
西北
市场经济条件
分类号
F279.241 [经济管理—企业管理]
F426.61 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
学做版画
4
作者
谭犇
机构
湖南省湘潭县子敬学校四年级
出处
《小学生导刊(中年级版)》
2019年第3期74-75,共2页
文摘
美术组的同学跟谭老师一起学习制作版画。我们在木板上雕刻齐白石的家乡。一进美术室,我就看见年轻漂亮的谭老师。她是湖南科技大学美术雕刻专业的老师。这节课她将教我们制作版画的第一步——刻板。谭老师让我们穿上围裙,教室里的伙伴们一个个变成小工匠了。
关键词
版画
制作
教室
老师
大学美术
雕刻
湖南
分类号
G624.2 [文化科学—教育学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超高压SiC电力电子器件及其在电网中的应用
邓小川
谭犇
万殊燕
吴昊
杨霏
张波
《智能电网》
2017
8
下载PDF
职称材料
2
基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究
宋瓘
白云
顾航
陈宏
谭犇
杜丽霞
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
3
抓住机遇 迎接挑战 成就辉煌——对广西北流供电公司如何做好企业法人代表的调研报告
谭犇
玉洪
《广西电业》
2009
0
下载PDF
职称材料
4
学做版画
谭犇
《小学生导刊(中年级版)》
2019
0
原文传递
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