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新型阶梯变掺杂SiC漂移阶跃恢复二极管
1
作者
谯彬
陈万军
+3 位作者
高吴昊
夏云
张柯楠
孙瑞泽
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第1期96-100,共5页
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)一般应用于超宽带脉冲信号源,可以将纳秒级高压脉冲换向负载,这对于输出脉冲的上升前沿有很高的要求。文章提出了一种具有基区变掺杂的新型宽禁带材料漂移阶跃恢复二极管,将传统的基区掺杂变为阶梯式的浓度分布...
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)一般应用于超宽带脉冲信号源,可以将纳秒级高压脉冲换向负载,这对于输出脉冲的上升前沿有很高的要求。文章提出了一种具有基区变掺杂的新型宽禁带材料漂移阶跃恢复二极管,将传统的基区掺杂变为阶梯式的浓度分布,基区内形成由浓度差导致的内建电场,该内建电场在DSRD放电回路反向泵浦阶段调节载流子分布,并加速载流子抽取。利用Sentaurus TCAD进行了器件电路联合仿真。结果表明,在具有相同峰值的电压情况下,新结构器件的正向注入结束时空穴最大速度较传统结构提升了29%,电压上升率为19.7 kV/ns,较传统结构(15.8 kV/ns)提升了25%。新结构使反向泵浦阶段的时间降低,输出的电压脉冲前沿的上升率更大,且工艺流程只需调节外延时的气体剂量,工艺上可实现。
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关键词
漂移阶跃恢复二极管
泵浦电路
碳化硅
内建电场
变掺杂
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职称材料
一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管
被引量:
3
2
作者
高吴昊
陈万军
+7 位作者
刘超
陶宏
夏云
谯彬
施宜军
邓小川
李肇基
张波
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第4期276-280,312,共6页
门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸...
门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸管结构,该结构有着更高的阴极注入效率,从而减小了器件的导通电阻和功耗。仿真结果表明,当导通电流为1 000 A/cm^2时,IEB-GTO晶闸管的比导通电阻比常规GTO晶闸管下降了约45.5%;在脉冲峰值电流为6 000 A、半周期为1 ms的宽脉冲放电过程中,器件的最大导通压降比常规GTO晶闸管降低了约58.5%。
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关键词
4H-SIC
门极可关断(GTO)晶闸管
注入效率
缓冲层
脉冲功率
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职称材料
优化教学课堂使初中化学教学高效化
3
作者
谯彬
《中国科教创新导刊》
2011年第25期140-140,共1页
在科技高速发展的今天,新形势和新要求下,仅靠增加课时和延长课堂时间来达到教学目标的方法已经跟不上时代的要求。如何采用有效的教学策略和手段,使初中化学课堂优化以提高整体教学的效率和课堂质量,成为了教师的新挑战。
关键词
初中
化学教学
课堂高效化
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职称材料
题名
新型阶梯变掺杂SiC漂移阶跃恢复二极管
1
作者
谯彬
陈万军
高吴昊
夏云
张柯楠
孙瑞泽
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第1期96-100,共5页
基金
四川省青年科技基金资助项目(2017JQ0020)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(ZYGX2016Z006)。
文摘
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)一般应用于超宽带脉冲信号源,可以将纳秒级高压脉冲换向负载,这对于输出脉冲的上升前沿有很高的要求。文章提出了一种具有基区变掺杂的新型宽禁带材料漂移阶跃恢复二极管,将传统的基区掺杂变为阶梯式的浓度分布,基区内形成由浓度差导致的内建电场,该内建电场在DSRD放电回路反向泵浦阶段调节载流子分布,并加速载流子抽取。利用Sentaurus TCAD进行了器件电路联合仿真。结果表明,在具有相同峰值的电压情况下,新结构器件的正向注入结束时空穴最大速度较传统结构提升了29%,电压上升率为19.7 kV/ns,较传统结构(15.8 kV/ns)提升了25%。新结构使反向泵浦阶段的时间降低,输出的电压脉冲前沿的上升率更大,且工艺流程只需调节外延时的气体剂量,工艺上可实现。
关键词
漂移阶跃恢复二极管
泵浦电路
碳化硅
内建电场
变掺杂
Keywords
drift step recovery diode
pump circuit
silicon carbide
built-in electric field
variable doping
分类号
TN313.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管
被引量:
3
2
作者
高吴昊
陈万军
刘超
陶宏
夏云
谯彬
施宜军
邓小川
李肇基
张波
机构
电子科技大学电子科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第4期276-280,312,共6页
文摘
门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸管结构,该结构有着更高的阴极注入效率,从而减小了器件的导通电阻和功耗。仿真结果表明,当导通电流为1 000 A/cm^2时,IEB-GTO晶闸管的比导通电阻比常规GTO晶闸管下降了约45.5%;在脉冲峰值电流为6 000 A、半周期为1 ms的宽脉冲放电过程中,器件的最大导通压降比常规GTO晶闸管降低了约58.5%。
关键词
4H-SIC
门极可关断(GTO)晶闸管
注入效率
缓冲层
脉冲功率
Keywords
4H-SiC
gate turn-off(GTO) thyristor
injection efficiency
buffer layer
pulse power
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
优化教学课堂使初中化学教学高效化
3
作者
谯彬
机构
西充县太平初级中学
出处
《中国科教创新导刊》
2011年第25期140-140,共1页
文摘
在科技高速发展的今天,新形势和新要求下,仅靠增加课时和延长课堂时间来达到教学目标的方法已经跟不上时代的要求。如何采用有效的教学策略和手段,使初中化学课堂优化以提高整体教学的效率和课堂质量,成为了教师的新挑战。
关键词
初中
化学教学
课堂高效化
分类号
G633.8 [文化科学—教育学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型阶梯变掺杂SiC漂移阶跃恢复二极管
谯彬
陈万军
高吴昊
夏云
张柯楠
孙瑞泽
《微电子学》
CAS
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
2
一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管
高吴昊
陈万军
刘超
陶宏
夏云
谯彬
施宜军
邓小川
李肇基
张波
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
3
下载PDF
职称材料
3
优化教学课堂使初中化学教学高效化
谯彬
《中国科教创新导刊》
2011
0
下载PDF
职称材料
已选择
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