用稻草和硅粉合成碳化硅晶须

采用碳热还原法用废弃稻草和硅粉合成碳化硅晶须。通过扫描电镜、透射电镜观察晶须形貌,采用X射线衍射(XRD)仪对物相进行分析。结果表明:由稻草和适量硅粉合成的碳化硅晶须多为直晶、较光滑,晶须直径为20~100nm;晶体中含有孪晶等面缺陷。直接加热至1350℃和先升至1600℃再迅速降至1350℃的加热方式均能得到碳化硅晶须。先升至较高温度再降到较低温度有利于碳化硅晶须的生长。保温时间延长,晶须产量增大,晶须直径略有增大。晶须生长机理为气-液-固(VLS)机理。