p型ZnO的制备以及衬底温度对薄膜特性的影响

本文主要讨论了采用改进的超声雾化设备制备了不同衬底温度条件下的ZnO薄膜。研究了该系统下不同衬底温度对ZnO薄膜电学、结构特性的影响。霍耳测试结果表明:获得了p型ZnO薄膜,其载流子浓度高达1.30×1019cm-3。样品的X射线衍射和场发射扫描电子显微镜的测试结果显示,在该系统下450℃时薄膜结晶性能最佳。

非晶硅太阳电池边绝缘设备研究

一、引言 自从1976年非晶硅太阳电池诞生以来〈1〉．到现在已经有30多年的历史．非晶硅太阳电池是薄膜类太阳电池中最成熟．并已大规模生产的电池品种．单条生产能力从1MW提高到25MW～30MW〈2〉，低成本的非晶硅在市场上占据着一定的优势。