表面处理对氧化钇和氧化镁稳定的氧化锆种植体晶相及断裂强度的影响

目的:探索喷砂、喷砂加酸蚀对氧化钇和氧化镁稳定的氧化锆种植体表面晶相和断裂强度的影响。方法:通过计算机辅助设计(computer aided design,CAD)/计算机辅助制造(computer aided manufacture,CAM)技术,以氧化钇稳定的多晶四方相氧化锆(yttria-stabilized tetragonal zirconia polycrystal,Y-TZP)和氧化镁稳定的氧化锆(magnesia partially stabilized zirconia,Mg-PSZ)两种材料加工标准试件及种植体,分为不处理组(对照组)、喷砂组和喷砂加酸蚀组3组,观察表面显微形貌并计算表面粗糙度。采用X射线衍射仪进行物相分析,通过静力试验获得各组种植体的断裂强度。结果:喷砂、喷砂加酸蚀处理显著增加了Y-TZP和Mg-PSZ两种种植体的表面粗糙度[轮廓算术平均偏差(Ra)值](P<0.01)。物相分析结果显示,表面喷砂和喷砂加酸蚀处理未对Mg-PSZ试件表面的晶相组成造成显著影响,但导致了Y-TZP试件的单斜相百分数明显升高。喷砂、喷砂加酸蚀处理的Mg-PSZ种植体断裂强度分别为(294.1±3.3)N和(331.3±26.4)N,与对照组[(458.4±48.7)N]相比均显著下降(P<0.01)。Y-TZP种植体对照组的断裂强度为(827.3±101.6)N,喷砂处理后断裂强度为(1162.9±116.5)N,与对照组相比显著升高(P=0.03),喷砂加酸蚀处理后为(867.2±171.0)N,与对照组相比差异无统计学意义(P>0.99)。结论:表面喷砂能够提高Y-TZP种植体的断裂强度,而表面喷砂和喷砂加酸蚀处理均会降低本研究中制备的Mg-PSZ种植体的断裂强度。

多孔二氧化硅块材的制备

采用胶体成型法用聚合性二氧化硅溶胶和二氧化硅粉制备多孔二氧化硅块材,研究了溶胶浓度、粘结剂PVA用量、二氧化硅粉的氨水预处理对二氧化硅块材的影响。用XRD分析二氧化硅凝胶及二氧化硅粉的物相随焙烧温度的变化,采用阿基米得排水法测孔隙率,利用扫描电镜观察多孔二氧化硅块材的微结构。研究发现,二氧化硅块材的孔隙率随溶胶浓度的增加而下降,加入适量的PVA可有效地防止坯体在干燥过程中出现裂纹,用氨水对二氧化硅粉预处理使块材的强度有所提高。

溶剂热法制备铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜

采用溶剂热法在玻璃基片上沉积铝掺杂的氧化锌透明导电膜(AZO)。研究了前驱溶液中Al3+与Zn2+的物质的量的比nAl3+/nZn2+、溶剂热反应温度和反应时间对薄膜物相、形貌、可见光透过率和电阻率的影响。结果表明,溶剂热法所制备的AZO薄膜具有六方纤锌矿结构,Al3+不仅改善薄膜的导电性而且起矿化剂的作用促进薄膜生长,溶剂热反应时间的增加没有使薄膜显著增厚。采用溶剂热法可制备出可见光平均透过率大于80%、方块电阻小于500Ω的AZO薄膜。

TiO_2半导体特性的转化与能带模型失效的理论研究

通过研究发现在某一特定温度附近时,TiO_2半导体特性明显发生改变,由非简并性半导体转化成为简并性半导体。采用自旋相关效应和库仑效应的理论,解释了能带模型失效的问题。

恩格斯晚年对历史唯物主义的重要贡献——纪念恩格斯诞辰170周年

十九世纪80—90年代,欧美自由资本主义进一步向帝国主义阶段过渡,资产阶级与无产阶级的矛盾和斗争日益尖锐起来。但是,当时无产阶级的力量还没有发展到足以推翻资产阶级统治的程度。资产阶级极力推行“两手政策”,一方面凭借它所掌握的强大的国家机器加紧对工人运动的镇压,一方面又采取收买手段,腐蚀工人阶级的上层分子,大力培植机会主义势力。因此,国际无产阶级革命运动中。

全面准确理解邓小平的社会主义本质论

全面准确理解邓小平的社会主义本质论谷景华一、邓小平的社会主义本质论同马恩论断的关系有种观点认为，邓小平的社会主义本质论是在纠正马克思主义传统观点基础上的重新建构，而且认为马克思、恩格斯关于社会主义基本特征的论断是幻想、乌托邦，是空想社会主义。我认为，...

恩格斯对历史唯物主义的丰富和发展

马克思逝世后,解决整个国际工人运动中的理论与实践问题的全部重担都历史地落在了恩格斯的肩上。为了批判机会主义和资产阶级时髦哲学对马克思主义哲学的篡攻和攻击,恩格斯在19世纪80年代写出了《家庭、私有制和国家的起源》、《路德维希·费尔巴哈和德国古典哲学的终结》等著作,在90年代前期又写了大量书信,对历史唯物主义的基本原理作了系统阐述和重大补充,为捍卫、丰富和发展马克思主义做出了杰出的贡献。限于篇幅,本文着重论述恩格斯在90年代初期写的被称为《关于历史唯物主义的通信》

对社会主义再认识的伟大理论成果

党的十三大政治报告,全面系统地阐发了社会主义初级阶段的理论。它标志着马克思主义与我国实践相结合的一次新的飞跃,标志着我们党对社会主义的认识达到了一个新的高度,是对社会主义再认识的伟大理论成果。 就世界社会主义思想发展史来讲。从第一位空想社会主义者莫尔1516年出版的《乌托邦》二书发表到今天,社会主义思想发展经历了多次大的飞跃。第一次大飞跃是社会主义由空想变成为科学,第二次大飞跃是从科学社会主义学说到社会主义革命和建设的实践,第三次大飞跃是从一国发展到多国的社会主义革命和建设的实践,第四次大飞跃是当代冲破僵化体制的社会主义改革的实践。从四百多年社会主义思想的发展过程。

介孔C／SiO2粉体的制备及对阳离子型染料的吸附

采用吸附法处理染料废水需要合适的吸附剂。利用溶剂蒸发自组装法，以甲阶酚醛树脂为碳源、介孔SiO2粉体为载体制备介孔C/SiO2粉体，表征所制C/SiO2粉体的结构，研究C/SiO2粉体对阳离子型染料亚甲基蓝和阳离子红X-GRL的吸附性能，并与相同条件下制备的非负载的多孔C粉体以及介孔SiO2载体进行比较。结果表明，介孔C/SiO2粉体的孔窗口为11-18 nm，比表面积为303 m^2·g^-1，比孔容为1.11 cm^3·g^-1；C/SiO2粉体对这两种染料吸附量均高于C粉体和SiO2载体；在pH≤10的范围内，吸附量随pH值增大而显著提高。

用MOCVD法在玻璃和Si(100)基片上制备TiO_2薄膜

采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积方法(AP-MOCVD),以四异丙醇钛(TTIP)为原料,在不同的实验条件下分别在S i(100)和玻璃基片上制备TiO2薄膜。当气化室温度为140℃,基片温度为350℃时,玻璃基片上生长的薄膜XRD谱中只出现了锐钛矿相(200)晶面的衍射峰,表明此时薄膜高度取向,在S i(100)基片上生长的TiO2薄膜也有取向性。通过SEM观察高度取向的TiO2薄膜表面出现四边形的微结构。

凝胶注模成型多孔氮化硅陶瓷

凝胶注模成型最初用来制备致密材料,本文则利用该方法来制备多孔氮化硅陶瓷。通过测试粉体的Zeta电位曲线以及加入分散剂(聚丙烯酸铵)时浆料的流变曲线,探讨了浆料的胶体特性和流变特性。分析了影响制品气孔率的几个因素。结果表明:粉体的等电点在pH为6附近,Zeta电位最大值在pH为10处。分散剂的加入使浆料的流体类型逐渐接近于牛顿流体。增加分散剂的含量和降低浆料的固含量可以提高制品的气孔率。

以β-Si_3N_4为晶种多孔氮化硅陶瓷的制备

以β-Si3N4为晶种、α-Si3N4为原料、MgO-Al2O3-SiO2体系为烧结助剂,制备了气孔率约为30%的多孔氮化硅陶瓷,研究了β-Si3N4晶种添加量对其物相、微观形貌和弯曲强度的影响。结果表明,加入β-Si3N4晶种能有效地促进α-Si3N4转化为β-Si3N4,经1580℃烧结的氮化硅陶瓷中出现了明显的长柱状晶粒,随着晶种添加量的增加,柱状晶的长径比逐渐增大,且柱状晶的产生可提高材料的强度。

微孔SiO_2膜的气体渗透性能

研究了微孔ＳｉＯ２膜的气体渗透性能．气体渗透数据表明，由于微孔ＳｉＯ２膜存在着一定的孔径分布，其渗透机理比较复杂．当膜的孔径大于并接近分子的动力学直径时，其渗透由择形扩散控制；而当膜的孔径大于而不接近分子的动力学直径时，对于非凝聚的小分子气体其渗透受努森扩散控制；对于可凝性气体其渗透将受多层扩散和毛细管凝聚的控制．单组份正／异丁烷气体在２５℃、压差为０．０６ＭＰａ时的理想分离系数为１．８；１∶１的正／异丁烷混合气的分离系数为８．４．

二氧化硅基多孔块材的制备及其热稳定性

以非离子型表面活性剂P123和三甲基苯的微乳液为模板剂合成介孔SiO2粉体.以此粉体为原料,经干压成型、烧结制备多孔SiO2块材.分别用AlOOH溶胶和TiO2溶胶包覆多孔SiO2粉体,制成多孔SiO2/Al2O3块材和SiO2/TiO2块材.采用XRD、SEM、TEM、N2吸附法和阿基米德排水法对所制粉体和块材进行了表征,并研究了块材的热稳定性.结果表明,600～700℃烧结的多孔SiO2基块材的孔隙率为74%～76%.与多孔SiO2块材相比,在800～1000℃范围内,SiO2/Al2O3块材的热稳定性显著提高,SiO2/TiO2块材的热稳定性在800～900℃范围内有一定改善.

利用SAXS表征聚合氯化铝硅絮凝剂

SAXS被用于研究聚合氯化铝硅（PASC）絮凝剂的形态，0．1M PASC絮凝剂的分形数随絮凝剂中硅铝比的增加而增大，当硅铝比由0．025增加到0．075时，分形数由1．29增大到1．41。

异丙醇钛控制水解的小角X射线散射

由金属醇盐水解制备溶胶的方法已广泛应用于溶胶-凝胶法制备纳米孔无机膜,但对金属醇盐水解机理的认识十分有限。通过控制异丙醇钛[Ti(i-OC_3H_7)4]在异丙醇(i-C_3H_7OH)中水解制备TiO_2溶胶,利用小角X射线散射(SAXS)方法研究了由不同H_2O/Ti(i-OC_3H_7)4的反应混合物[Ti(i-OC_3H_7)4:H_2O:i-C_3H_7OH=1:m:30(摩尔比)]形成TiO_2溶胶的过程,探讨了控制Ti(i-OC_3H_7)4水解的过程中胶粒形成与长大的规律。研究结果表明,所合成的TiO_2溶胶的胶粒粒径小于10 nm,胶粒的形成和长大与H_2O/Ti(i-OC_3H_7)4摩尔比密切相关。H_2O/Ti(i-OC_3H_7)4(摩尔比)≥2.0时,随着H_2O/Ti(i-OC_3H_7)4增加,溶胶的稳定性下降。

干燥与焙烧对介孔TiO_2微结构的影响

介孔材料由于具有独特的孔结构在不同领域得到了广泛的应用。采用溶胶-凝胶法制备介孔Ti O2粉体,利用N2吸附-脱附法表征Ti O2粉体的比表面积、比孔容和孔径分布,用X射线衍射法表征Ti O2粉体的物相和晶粒尺寸,研究了干燥温度、焙烧温度和保温时间对Ti O2粉体微结构的影响。研究结果表明,制备介孔Ti O2粉体存在最佳干燥温度;焙烧温度升高和保温时间延长均使介孔Ti O2粉体的平均孔径增大、比表面积和比孔容下降。

介孔TiO_2膜的制备及其吸附性能研究

以钛酸四异丙脂为原料,采用粒子型溶胶路线制备出稳定的TiO2 溶胶,通过浸渍涂膜法,在孔径为100nm 的管式Al2O3 微滤膜支撑体上制备出介孔TiO2 膜.研究了介孔TiO2 膜的制备过程对其完整性及孔结构的影响,同时考察了非负载介孔TiO2 膜对染料酸性橙7和亚甲基蓝的吸附性能.在溶胶中加入适量的PVA 和HPC,控制浸涂时间,在450 ℃焙烧1h可获得完整的介孔TiO2 膜,膜厚约0.5μm,孔径分布于3~10nm.介孔TiO2 膜对酸性橙7及亚甲基蓝吸附量随pH 值变化,调节pH 值可减少吸附造成的膜污染.

质子导体SrCe_(0.9)Y_(0.1)O_(3-α)的柠檬酸法合成研究

采用柠檬酸液相法合成了钙钛矿相SrCe0.9Y0.1O3-α粉体,将所制粉体模压成型后在1450℃烧结10 h得到陶瓷膜片。对粉体合成的热处理过程进行了DSC/TG,XRD研究,通过SEM观察了粉体及膜片的微观结构。结果表明,用柠檬酸液相法制备的螯合前驱体在热处理形成SrCe0.9Y0.1O3-α的过程中,先出现了YxCe1-xO2-x/2复合氧化物、SrCO3及反尖晶石结构的Sr2CeO4相,在1100℃可以完全转变为SrCe0.9Y0.1O3-α钙钛矿相;这种方法比传统固相法的合成法温度低,粉体一次粒子粒径小于1μm,分散性差,但烧结性能良好。

TiO_2-ZrO_2聚合溶胶形成过程的小角X射线散射研究

由金属醇盐(M(OR)_4)水解制备溶胶的方法已广泛应用于溶胶-凝胶法制备纳米孔无机膜。通过控制异丙醇钛[Ti(i-OC_3H_7)_4]和正丙醇锆[Zr(n-OC_3H_7)_4]的混合物在异丙醇(i-C3H7OH)中水解制备聚合型TiO_2-ZrO_2溶胶,利用小角X射线散射方法(SAXS)研究了初始反应混合物Ti(i-OC_3H_7)_4:Zr(n-OC_3H_7)_4:H2O:i-C_3H_7OH=0.9:0.1:m:30(摩尔比,m=1.8,2.0,2.2)形成TiO_2-ZrO_2溶胶的过程,探讨了水与醇盐摩尔比H_2O/M(OR)_4(M=Ti+Zr)、反应温度和正丙醇锆对TiO_2-ZrO_2溶胶形成的影响。研究结果表明,H_2O/M(OR)_4=1.8时,只有少量胶粒形成;H_2O/M(OR)_4=2.0~2.2时,TiO_2-ZrO_2溶胶中胶粒具有质量分形结构,分形维数1.2≤Dm<1.4;随着H_2O/M(OR)_4增加,胶粒的形成时间缩短,胶粒大小和分形维数均增大,溶胶的稳定性显著下降。升高反应温度有利于胶粒形成。[Ti(i-OC_3H_7)_4+Zr(n-OC_3H_7)_4]混合物比Ti(i-OC_3H_7)_4水解快,H_2O/M(OR)_4相同时,TiO_2-ZrO_2溶胶比TiO_2溶胶稳定性差。