MnHCF膜电极制备及其Cs^+分离性能

采用循环伏安电沉积法制备出ITO/MnHCF膜电极,通过扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、红外光谱(IR)分析了膜的表面形貌和成分,并结合电沉积的循环伏安曲线,确定了电沉积条件为扫描电位区间-0.2~0.85V,扫描圈数50圈+50圈,扫描速率25mV/s。膜电极在1mol/L NaNO3溶液中具有可逆的电化学行为,在循环伏安条件下能够可逆地置入与置出Na+。初步考察了ITO/MnHCF膜电极对Cs^+的分离性能,研究结果表明,其对Cs^+的分离性能较好,氧化态膜在-0.2V条件下还原吸附Cs^+的去除率达到64.98%,可为MnHCF膜电极应用于核电厂放射性废液的处理提供参考。