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SiGe材料的组分表征研究与退火分析
被引量:
1
1
作者
冯世娟
李秋俊
+1 位作者
田岗纪之
财满镇名
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期660-662,683,共4页
采用固相扩散法在n-Si(100)衬底上制备了两组退火条件不同的SixGe1-x薄膜。利用椭圆偏振光谱和二次离子质谱技术,对薄膜的厚度及组分分布进行了表征,两者具有较好的一致性。分析了退火对薄膜厚度、组分和应变的影响。成功得到了完全驰...
采用固相扩散法在n-Si(100)衬底上制备了两组退火条件不同的SixGe1-x薄膜。利用椭圆偏振光谱和二次离子质谱技术,对薄膜的厚度及组分分布进行了表征,两者具有较好的一致性。分析了退火对薄膜厚度、组分和应变的影响。成功得到了完全驰豫状态的SixGe1-x薄膜,可用于实际器件制作。
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关键词
SixGe1-x薄膜
椭圆偏振光谱
二次离子质谱
退火
组分分布
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职称材料
题名
SiGe材料的组分表征研究与退火分析
被引量:
1
1
作者
冯世娟
李秋俊
田岗纪之
财满镇名
机构
重庆邮电大学光纤通信技术重点实验室
日本名古屋大学工学研究科结晶材料专攻
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期660-662,683,共4页
文摘
采用固相扩散法在n-Si(100)衬底上制备了两组退火条件不同的SixGe1-x薄膜。利用椭圆偏振光谱和二次离子质谱技术,对薄膜的厚度及组分分布进行了表征,两者具有较好的一致性。分析了退火对薄膜厚度、组分和应变的影响。成功得到了完全驰豫状态的SixGe1-x薄膜,可用于实际器件制作。
关键词
SixGe1-x薄膜
椭圆偏振光谱
二次离子质谱
退火
组分分布
Keywords
SixGe1-x thin film
Spectroellipsometry
SIMS
Annealing
Composition distribution
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiGe材料的组分表征研究与退火分析
冯世娟
李秋俊
田岗纪之
财满镇名
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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