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CMOS电路抗Latchup性能研究
被引量:
1
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作者
费新礴
朱正涌
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第5期385-390,共6页
本文研究了CMOS电路中的Latchup效应.通过实验研究了CMOS电路不同版图尺寸和多种抗Latchup技术对维持点参数(维持电流和维持电压)的影响,得出了Latchupfree结构.本文同时使用PISCES对La...
本文研究了CMOS电路中的Latchup效应.通过实验研究了CMOS电路不同版图尺寸和多种抗Latchup技术对维持点参数(维持电流和维持电压)的影响,得出了Latchupfree结构.本文同时使用PISCES对Latchup效应进行了二维模拟.
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关键词
CMOS电路
抗Latchup
寄生效应
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职称材料
电荷DLTS及其对硅上砷化镓材料中深能级的测量
2
作者
董琪
郑心畬
+1 位作者
陈培毅
费新礴
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第5期257-264,共8页
本文提出并建立了具有漏电补偿功能的电荷DLTS方法.该方法具有与电容DLTS方法相同的率窗特性,同时又能直接测量深能级热发射的电荷响应而不必依赖耗尽区厚度的热发射调制,因此能用于半绝缘材料及耗尽层厚限定(如PIN,SOI结构)材料中的深...
本文提出并建立了具有漏电补偿功能的电荷DLTS方法.该方法具有与电容DLTS方法相同的率窗特性,同时又能直接测量深能级热发射的电荷响应而不必依赖耗尽区厚度的热发射调制,因此能用于半绝缘材料及耗尽层厚限定(如PIN,SOI结构)材料中的深能级测量.所建立的测量系统利用微机控制,可以在一次温度扫描中完成测量过程.利用该系统首次测量了 MBE生长硅衬底砷化镓材料上 LED二极管有源区中的深能级密度及位置,证实了其中高密度深能级的存在.
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关键词
砷化镓
深能级
测量
电荷DLTS法
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职称材料
题名
CMOS电路抗Latchup性能研究
被引量:
1
1
作者
费新礴
朱正涌
机构
清华大学微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第5期385-390,共6页
文摘
本文研究了CMOS电路中的Latchup效应.通过实验研究了CMOS电路不同版图尺寸和多种抗Latchup技术对维持点参数(维持电流和维持电压)的影响,得出了Latchupfree结构.本文同时使用PISCES对Latchup效应进行了二维模拟.
关键词
CMOS电路
抗Latchup
寄生效应
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
电荷DLTS及其对硅上砷化镓材料中深能级的测量
2
作者
董琪
郑心畬
陈培毅
费新礴
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第5期257-264,共8页
文摘
本文提出并建立了具有漏电补偿功能的电荷DLTS方法.该方法具有与电容DLTS方法相同的率窗特性,同时又能直接测量深能级热发射的电荷响应而不必依赖耗尽区厚度的热发射调制,因此能用于半绝缘材料及耗尽层厚限定(如PIN,SOI结构)材料中的深能级测量.所建立的测量系统利用微机控制,可以在一次温度扫描中完成测量过程.利用该系统首次测量了 MBE生长硅衬底砷化镓材料上 LED二极管有源区中的深能级密度及位置,证实了其中高密度深能级的存在.
关键词
砷化镓
深能级
测量
电荷DLTS法
分类号
TN304.01 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CMOS电路抗Latchup性能研究
费新礴
朱正涌
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
1
下载PDF
职称材料
2
电荷DLTS及其对硅上砷化镓材料中深能级的测量
董琪
郑心畬
陈培毅
费新礴
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991
0
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职称材料
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