高效率AlGaAs/GaAs太阳电池

本文对P^+-AlxGa_(1-x)As/P-GaAs/n-GaAs/n^+-GaAs太阳电池的光电流、暗电流、光谱响应和效率作了理论计算。研究了表面、界面复合速度、窗口层组分、表面层漂移场、各层的厚度、扩散长度及掺杂浓度等对电池特性的影响。在AMO,300K的光照条件下,得到了目前理论上最好的结果:J_(sc)=38.6mA/cm^2,V_(oc)=1141mV,FF=0.88,η=28.7％。在我们的理论中,当分别考虑不同的贡献时,还可得到P-GaAs/n-GaAs,P^+-GaAs/P-GaAs/n-GaAs,P^+-Al_xGa_(1-x)As/P-GaAs/n-GaAs太阳电池的理论结果。用LPE法得到了效率η=20.03％(AM1.5,100mw/cm^2,25℃)的GaAs太阳电池。

高效AlxGa_（1—x）As／GaAs太阳电池的研制及辐照效应

用液相外延（ＬＰＥ）技术制备了全面积转换效率为１８．６５％（１．０８ｃｍ２，ＡＭ０，１ｓｕｎ）及１７．３３％（２×２ｃｍ２，ＡＭ０，１ｓｕｎ）的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ（ｘ＞０．８）太阳电池，１ＭｅＶ电子辐照实验表明，浅结电池的抗辐照能力比深结的强，退火可以恢复辐照损伤．

用回熔再生长LPE工艺制备高效AlGaAs／GaAs太阳电池

报道了采用欠饱和溶液的回熔—再生长液相外延（ＬＰＥ）方法制备高效ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结构太阳电池的工艺。研究表明，与传统的过冷生长技术相比，回熔工艺对衬底质量的要求不严格，且能形成有利于光生少子被收集的带隙结构。在工艺优化的情况下，获得大阳电池的全面积转换效率在ＡＭ０，１ｓｕｎ的测试条件下为１８．７８％（０．７２ｃｍ２），在ＡＭ１．５，１ｓｕｎ下为２３．１７％。

Al_xGa_(1-x)As/GaAs太阳电池减反射膜的研究

以太阳电池的短路电流积分表达式为依据，应用减反射膜的光学原理，对具有阳极氧化、ＳｉＯ和ＳｉＯ２三种减反射膜的Ａ１ｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池分别进行了反射光谱、短路电流、开路电压的实验测试。研究表明，阳极氧化膜、ＳｉＯ膜具有良好的减反射性能，而ＳｉＯ２膜的减反射性能较差。

A1_xGa_（1－x）As／GaAs太阳电池的结构观察和器件性能

运用不同的液相外延（ＬＰＥ）生长工艺，制备了两种结构的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池，并结合透射电子显微镜（ＴＥＭ）等技术分析了外延工艺对器件性能的影响。结果表明，与过冷生长技术相比，回熔工艺对衬底质量的要求不严格，且能形成有利于光生少子被收集的带隙结构。在工艺优化的情况下，我们所获得太阳电池的全面积转换效率在ＡＭ０，１ｓｕｎ条件下为１８．７８％（０．７２ｃｍ２），在ＡＭ１．５，ｌｓｕｎ条件下为２３．１７％。

高镁石灰石在预分解窑的生产实践

介绍了A公司自备石灰石矿山由于MgO含量高,且质量波动大,在长时间的生产实践中,通过配料方案、工艺操作等调整,实现了窑系统的稳定运转,生产的产品质量满足国家标准。