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中性束注入系统热测靶设计
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作者 贺会权 胡立群 +1 位作者 胡纯栋 龚建华 《真空》 CAS 北大核心 2005年第1期39-42,共4页
介绍了中性束注入系统热测靶的测量原理 ,提出了热测靶的设计方案 ,并对测量误差进行了分析 ,介绍了中性束注入系统束线上束流功率和功率密度分布的测量方法 。
关键词 中性束注入 热测靶 束流功率 功率密度分布
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中性束束流沿束线损失分析与沉积
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作者 贺会权 胡立群 +1 位作者 胡纯栋 龚建华 《真空与低温》 2003年第3期175-178,共4页
分析了中性注入系统中束流在束线各部件上的损失,提出了束线上各部件的设计方案,并简单介绍了中性注入系统。
关键词 中性束 中性注入系统 损失 可控核聚变 等离子体 托卡马克装置 磁场
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透明导电氧化物薄膜研究进展 被引量:12
3
作者 望咏林 颜悦 +2 位作者 沈玫 贺会权 张官理 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F05期317-320,共4页
综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的应用和发展,重点阐述了TCO薄膜的透明导电机理以及制备工艺的最新研究进展,同时对其研究和应用前景进行了展望。
关键词 氧化物薄膜 透明导电机理 制备工艺 ITO AZO
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离子束辅助磁控溅射低温沉积ITO透明导电薄膜的研究 被引量:3
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作者 望咏林 颜悦 +3 位作者 沈玫 贺会权 纪建超 张官理 《真空》 CAS 北大核心 2006年第4期7-9,共3页
本文对离子束辅助磁控溅射低温沉积的ITO薄膜进行了研究,重点考察了辅助离子束能量对ITO薄膜的光电性能和晶体结构的影响。结果表明:当A r/O2辅助离子束能量为900 eV左右时能够有效改善ITO薄膜的光电性能,在从非晶到多晶的转变过程中IT... 本文对离子束辅助磁控溅射低温沉积的ITO薄膜进行了研究,重点考察了辅助离子束能量对ITO薄膜的光电性能和晶体结构的影响。结果表明:当A r/O2辅助离子束能量为900 eV左右时能够有效改善ITO薄膜的光电性能,在从非晶到多晶的转变过程中ITO薄膜具有较低的电阻率。在聚碳酸酯(PC)基片上制备了平均可见光透过率81.0%、电阻率为5.668×10-4ohm cm、结构致密且附着力良好的ITO薄膜,基片无变形。 展开更多
关键词 低温沉积 离子束辅助沉积 磁控溅射 ITO 透明导电薄膜
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低温沉积ITO透明导电膜的研究 被引量:3
5
作者 沈玫 纪建超 贺会权 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期17-19,共3页
通过探讨半导体氧化物ITO膜的透光和导电机理,用反应性直流磁控溅射的镀膜工艺,在有机玻璃上低温镀制(ITO)膜,研究ITO膜溅射工艺参数与透光和导电性能的关系,实现了在低温下镀制(ITO)膜的技术,其透光率≥80%以上,表面电阻≤30Ω/□。
关键词 透明导电膜 ITO膜 磁控溅射
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