一款0.1~2.0 GHz的高线性度低噪声放大器

采用0.5μm GaAs pHEMT工艺研制了一款0.1~2.0 GHz的高线性度低噪声放大器芯片。针对偏置电压随电源波动的问题,提出一种新型的具有稳压功能的有源偏置电路,既能补偿放大管阈值电压随温度的变化,又不受电源电压波动影响,同时在放大管的栅源两端增加反馈电容,以改善线性度与输入输出匹配度。测试结果显示,在频带内最大增益可达23 dB,噪声系数小于1.4 dB,OIP3大于35 dBm,P1dB大于23 dBm,芯片尺寸为1.00 mm×0.95 mm。

一种宽带高线性度射频放大器

采用0.5μm GaAs E-pHEMT工艺设计了一种0.1~6 GHz的高线性度射频放大器。结合达林顿电路与共源共栅电路结构,提出了一种新型放大器电路结构,以提高增益平坦度和扩展带宽。同时,针对线性度较低的问题,在有源反馈偏置电路中采用了并联反馈电容的方法来抑制谐波分量的影响,从而提高放大器的线性度。仿真结果显示:在放大器的工作频段内,小信号增益为22.5 dB,增益平坦度为±0.5 dB,噪声系数小于1.7 dB。在频率为4.2 GHz处OIP3可达48 dBm,0.8 GHz处P_(1dB)可达21.4 dBm。版图尺寸为0.85 mm×0.85 mm。