介质隔离高稳定低噪声对管电路的工艺研究

文章采用先进的全介质隔离、高频低噪声、浅结工艺研制高稳定性低噪声对管电路。该器件具有两管电流放大系数对称性好 ( h FE=97% )、噪声系数低 ( NF≤ 3d B)、隔离度高 ( g≥ 40 d B)、共模抑制比高 ( CMRR≥ 80 d B)和截止频率高 ( f T≥ 60 0 MHz)

一种用于16位A/D转换器的2μm CMOS工艺

介绍了一种 CMOS 1 6位 A/D转换器的工艺技术。该技术采用 2μm硅栅自对准 CMOS工艺、全离子注入和快速热退火。并分别用 P阱和双阱工艺、多晶硅栅注砷和注 BF2 制作了电路样品。两种工艺均能满足 1 6位 A/D转换器的要求 ,但