在本文中,首先通过水热法得到Zn O NWs,接着运用湿化学法得到刻蚀之后的Zn O NWs,不仅增大其比表面积,进而增加了该样品的光生载流子浓度,从而提高了其光电催化性能,因此,在1.23V vs RHE,刻蚀之后的光电流值为0.64 m A·cm-2,而原始...在本文中,首先通过水热法得到Zn O NWs,接着运用湿化学法得到刻蚀之后的Zn O NWs,不仅增大其比表面积,进而增加了该样品的光生载流子浓度,从而提高了其光电催化性能,因此,在1.23V vs RHE,刻蚀之后的光电流值为0.64 m A·cm-2,而原始的Zn O NWs的光电流密度为0.4 m A·cm-2,接着继续运用湿化学浸泡法,即可得到核壳结构的Zn O/Zn S NWs,壳层Zn S对核层Zn O有保护作用,这样就避免Zn O与电解液直接接触而发生光腐蚀,此外,由于Zn O和Zn S形成异质结,因此减少光生空穴与电子的复合,进而提高了该材料的光电性能,其光电流达到最大为1.42 m A·cm-2。展开更多
文摘在本文中,首先通过水热法得到Zn O NWs,接着运用湿化学法得到刻蚀之后的Zn O NWs,不仅增大其比表面积,进而增加了该样品的光生载流子浓度,从而提高了其光电催化性能,因此,在1.23V vs RHE,刻蚀之后的光电流值为0.64 m A·cm-2,而原始的Zn O NWs的光电流密度为0.4 m A·cm-2,接着继续运用湿化学浸泡法,即可得到核壳结构的Zn O/Zn S NWs,壳层Zn S对核层Zn O有保护作用,这样就避免Zn O与电解液直接接触而发生光腐蚀,此外,由于Zn O和Zn S形成异质结,因此减少光生空穴与电子的复合,进而提高了该材料的光电性能,其光电流达到最大为1.42 m A·cm-2。