940nm近红外VCSEL的宽温区光电特性研究

发光波长为940 nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有效率高、可避免红爆、易于集成等特点,在消费电子、视觉成像、3D传感等领域具有广阔的应用前景。然而,工作环境温度的变化,会影响VCSEL的光电性能。为了实现光电系统的宽温区工作,有必要研究VCSEL的光电特性随温度、工作电流的变化规律。本文针对单颗VCSEL芯片、24颗芯片并联阵列、多芯片集成并联阵列等3种典型的940 nm VCSEL,进行了变温电致发光特性研究。研究结果表明,芯片串联电阻随温度的变化而变化,对VCSEL的电特性产生重要影响,VCSEL发光波长的漂移与自发热效应有着重要联系。