取代基团对吡唑硼-亚铁体系自旋交叉配合物性能的影响

通过不同取代基对吡唑环配体进行修饰,制备了6种基于吡唑硼-亚铁的自旋交叉配合物,研究了取代基对自旋转变性能的影响。实验发现,吡唑硼-亚铁配合物均具有渐变型的自旋转变特性。吸电子取代基可以降低吡唑环的电子云密度,有利于低自旋态稳定,使得自旋转变温度升高;供电子取代基则增加了吡唑环的电子云密度,有利于高自旋态稳定,使得自旋转变温度降低;此外,具有较大空间位阻的取代基会抑制Fe-N键的增长,有利于低自旋态的稳定,使得自旋转变温度升高。本研究表明自旋交叉配合物的自旋转变温度可以通过配体修饰实现有效调控。

自旋交叉配合物[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的研究进展

自旋交叉配合物[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)在室温附近表现出较宽的温度磁滞现象,在光热开光、信息显示以及数据存储等方面具有潜在的应用,是目前自旋交叉领域最值得关注的配合物之一。本文主要从材料合成方法、性能影响因素以及器件应用等方面对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)分子材料近十年来的研究进展进行了系统的介绍。[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的合成方法主要有简单混合和反相胶束法,此外为了消除合成过程中的分子团聚,通常在反应体系中引入具有较大比表面积的分散基质,比如介孔二氧化硅、氧化石墨烯等;自旋交叉性能的影响因素主要包括表面活性剂、分子内的结晶水、外部压强、热退火以及机械球磨等;器件应用方面主要从[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)分子薄膜的制备出发,讨论了相关的器件应用进展。最后,本文对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的最新研究进展进行了总结,并对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的未来发展趋势进行了展望。而[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的新型薄膜制备工艺可以为相关器件制备打下扎实的基础,从而推动自旋交叉配合物的应用发展。

不同抗衡阴离子自旋交叉分子的制备与表征

基于三氮唑(1,2,4-1H-triazole,Htrz)体系的Fe(Ⅱ)的配合物是一类非常重要的在室温附近发生自旋转变的自旋交叉分子,具有潜在的应用。本文报道了2种基于三氮唑体系的Fe(Ⅱ)的配合物的制备与表征,分别为[Fe(Htrz)_(2)(trz)](CF_(3)SO_(3))和[Fe(Htrz)_(2)(trz)](BF_(4)),并研究了抗衡阴离子对自旋转变行为的影响。自旋交叉分子的制备由2种前驱体简单混合反应而得,结构表征表明三氮唑参与反应,并且产物中的Fe元素基本为Fe(Ⅱ),磁性测试证实了这2种分子存在自旋转变特性,并且这种自旋转变具有温度磁滞效应。实验结果还表明抗衡阴离子对于自旋交叉分子的自旋转变行为有重要的影响。抗衡阴离子空间位阻越小、抗衡阴离子的电负性越强、结构越对称规整,则自旋转变温度越高。