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一种12GHz的高增益低噪声放大器
被引量:
1
1
作者
何谟谞
胡钧剑
+1 位作者
高博
贺良进
《电子技术应用》
2022年第4期104-107,共4页
通过分析GaAs pHEMT器件特性设计了一款两级高增益、低功耗的低噪声放大器。采用两级结构提高低噪声放大器的增益,设计了一种共用电流结构,降低了放大器的功耗,同时降低电路噪声。输入、输出匹配均采用LC阶梯匹配网络,具有良好的匹配性...
通过分析GaAs pHEMT器件特性设计了一款两级高增益、低功耗的低噪声放大器。采用两级结构提高低噪声放大器的增益,设计了一种共用电流结构,降低了放大器的功耗,同时降低电路噪声。输入、输出匹配均采用LC阶梯匹配网络,具有良好的匹配性,并使用CAD软件对电路进行设计优化。电路仿真结果表明,在中心频率12 GHz下实现了增益为27.299 dB、噪声系数为0.889 dB、S11和S22均小于-10 dB的性能,工作带宽为600 MHz。此低噪声放大器作为12 GHz频段的接收机的前端设计研究,具有一定意义。
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关键词
GaAs
pHEMT
LNA
共电流两级结构
高增益
LC阶梯匹配网络
下载PDF
职称材料
题名
一种12GHz的高增益低噪声放大器
被引量:
1
1
作者
何谟谞
胡钧剑
高博
贺良进
机构
成都飞机工业(集团)有限责任公司
四川大学物理学院
出处
《电子技术应用》
2022年第4期104-107,共4页
文摘
通过分析GaAs pHEMT器件特性设计了一款两级高增益、低功耗的低噪声放大器。采用两级结构提高低噪声放大器的增益,设计了一种共用电流结构,降低了放大器的功耗,同时降低电路噪声。输入、输出匹配均采用LC阶梯匹配网络,具有良好的匹配性,并使用CAD软件对电路进行设计优化。电路仿真结果表明,在中心频率12 GHz下实现了增益为27.299 dB、噪声系数为0.889 dB、S11和S22均小于-10 dB的性能,工作带宽为600 MHz。此低噪声放大器作为12 GHz频段的接收机的前端设计研究,具有一定意义。
关键词
GaAs
pHEMT
LNA
共电流两级结构
高增益
LC阶梯匹配网络
Keywords
GaAs pHEMT
LNA
common current two-stage structure
high gain
LC ladder matching network
分类号
TN702 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种12GHz的高增益低噪声放大器
何谟谞
胡钧剑
高博
贺良进
《电子技术应用》
2022
1
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