碳化硅非线性电阻导电机理

提出了SiC非线性电阻的导电模型.利用半导体理论分析了SiC非线性电阻的静态及动态伏安特性,认为SiC非线性电阻的伏安特性是由形成SiC非线性电阻的两大组分—SiC、结合剂共同决定的.

氧化锌阀片侧面绝缘层的研究

对氧化锌阀片侧面绝缘用有机和无机材料进行了性能分析比较，根据不同生产工艺介绍了无机侧面绝缘层常见的组成及研制方法，并介绍了应用效果。

镨系氧化锌非线性电阻微观结构及性能

采用X-射线衍射,扫描电子显微镜和X-射线能谱等方法,分析了镨系和铋系非线性电阻的微观结构;测试了不同烧成温度下镨系氧化锌非线性电阻片的电位梯度、残压比、泄漏电流和体密度。结果表明,镨系氧化锌非线性电阻在组成方面避免了铋系的一些固有缺陷,高温下成分相对稳定;镨系的微观结构只包括ZnO和以氧化镨为主的晶界层,与铋系相比,它增加了晶粒边界层的有效面积。以上两种因素使镨系易于实现较高电位梯度和较大通流容量。烧成温度对镨系及铋系性能的影响比较相似。在配方和工艺设计方面,如何对氧化锌晶粒生长进行有效制约,增加单位厚度晶粒数目,是实现高电位梯度的关键,而综合性能的提高,有赖于在烧成温度范围内对温控点进行有效控制。

镨系ZnO电阻片非线性特性研究

针对镨系ZnO电阻片磨片前后非线性性能的变化,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及X射线能谱仪对电阻片表面和本体进行分析。结果表明:镨系ZnO电阻片表面层与本体从组分、物相以及微观结构方面均有较大差异,表面层ZnO晶粒尺寸较小,为(2.0～3.1)μm,大小比较均匀,并且在晶界存在约0.7μm的富Pr相,有利于非线性的形成;而本体内的晶粒尺寸较大,为(3.0～4.8)μm,晶界几乎无杂相。磨片后ZnO电阻片表面成分的磨损是导致其非线性性能变差的主要原因。

氧化物添加剂对氧化锌阀片电性能的影响

本文研究了添加一种或多种氧化物如Nb_2O_5、Sb_2O_3、Bi_2O_3、CoO、MnO_2、Cr_2O_3、NiO和Al_2O_3的氧化锌阀片的V-I特性,讨论了以上添加物的种类、数量及烧成温度对非线性V-I特性的影响.在所有研究的阀片中,由下面的配方制成的试样具有很好的非线性(α≈40)和大约150J/cm^3的能量承受力.87.325wt%ZnO+0.1%Nb_2O5+3.5%Sb_2O_3+6%Bi_2O_3+0.55%CoO+0.7%MnO_2+0.9%Cr_2O_3+0.9%NiO+0.025%A1(NO_3)