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低限流下含Ag电极的BiFeO_3薄膜的阻变开关特性
1
作者
闫小兵
李玉成
+7 位作者
闫铭
杨涛
贾信磊
陈英方
赵建辉
李岩
娄建忠
李小亭
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期3014-3018,共5页
采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO_3(BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗。在0.5μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开...
采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO_3(BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗。在0.5μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开关次数达500次以上,阻态保持时间超过1.8×104s,有较好的保持特性。分析了该Ag/BFO/Pt器件的阻变开关机制,主要归因于Ag原子在BFO薄膜内的氧化还原反应引起的金属导电细丝的形成与断开。
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关键词
阻变存储器
低限制电流
开关机制
导电细丝
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职称材料
题名
低限流下含Ag电极的BiFeO_3薄膜的阻变开关特性
1
作者
闫小兵
李玉成
闫铭
杨涛
贾信磊
陈英方
赵建辉
李岩
娄建忠
李小亭
机构
河北大学电子信息工程学院河北省数字医疗工程重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期3014-3018,共5页
基金
国家自然科学基金(61306098)
河北省自然科学基金(E2012201088
+5 种基金
E2013201176)
中国博士后项目研究基金(2013M530754)
河北省高等学校科学研究项目(ZH2012019)
河北省高等学校拔尖青年基金(BJ2014008)
河北大学研究生创新资助项目(X2015074)
河北大学教改课题(JX08-ZD-14)
文摘
采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO_3(BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗。在0.5μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开关次数达500次以上,阻态保持时间超过1.8×104s,有较好的保持特性。分析了该Ag/BFO/Pt器件的阻变开关机制,主要归因于Ag原子在BFO薄膜内的氧化还原反应引起的金属导电细丝的形成与断开。
关键词
阻变存储器
低限制电流
开关机制
导电细丝
Keywords
resistive random access memory
low compliance current
resistive switching mechanism
filament
分类号
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低限流下含Ag电极的BiFeO_3薄膜的阻变开关特性
闫小兵
李玉成
闫铭
杨涛
贾信磊
陈英方
赵建辉
李岩
娄建忠
李小亭
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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