立体显示技术新进展

介绍新型立体显示技术。

InGaAs光电阴极像增强器研究

ＩｎＧａＡｓ 光电阴极像增强器的光谱为１－０ ～１－３μｍ 和１－０ ～１－１μｍ 。对用于像增强器中的ＩｎＧａＡｓ 光电阴极进行了研究。研究的方法有：光致发光法、微型瑞曼法、扫描俄歇俄法。将ＩｎＧａＡｓ 像增强器的光谱和标准的第二代和第三代像增强器进行比较。文中还报导了负电子亲和势ＩｎＧａＡｓ 光电阴极摄像管的性能参数：光谱灵敏度、白光光响应、等效背景照度、信噪比、调制传递函数以及像增强器的性能。对ＩｎＧａＡｓ 负电子亲和势光电阴极和标准第二代像增强器阴级直接进行比较。最后评价了近红外ＩｎＧａＡｓ 光电阴极像增强器的先进性。

蓝色荧光粉的退化机理

PDP中的蓝色荧光粉是BAM单相和Ba-β氧化铝的混合作。蓝色荧光粉的退化主要是位移氧附近的深能态电子陷阱。这种电子陷阱增加了非辐射发射，退化了发光强度维持系数。用大量的小离子像Sr2+、Eu2+来代替Ba2+离子，可以使发光亮度维持系数显著改进。

重要营养元素—钙

综述了钙的生理功能、钙的抗衰老作用。

氧化镁膜

介绍溅射和丝网印刷法制造的MgO膜的特点以及工艺参数对膜特性的影响。

有机电致发光显示板

本文介绍高性能多层有机电致发光显示器件。该器件可分为三类。多层器件的发光亮度超过１００ｃｄ／ｍ’，驱动电压低于２０Ｖ。文章也介绍了高亮度器件的发光机理和器件的稳定性。

红外摄像器件最近动向

介绍红外摄像器件现在达到的水平和发展动向。具体介绍三种热型器件和四种量子型器件的现状和发展。

发光二极管显示现状及发展

本文报告了大屏幕高亮度发光二极管显示的现状和发展。也报告了这种显示的应用。

铁电液晶红外斩波器

介绍新近开发的铁电液晶红外斩波器的结构及其特征和一体化红外敏感器。

滤色器的制造工艺

已经开发出几种新类型滤色器制造工艺,光刻法制造滤色器的工艺最成功。色料分散在光刻胶中的工艺也常使用。另外,还在研究用电镀法和印刷法制造滤色器。色料分散法制造的滤色器,有较高的光灵敏度,良好的色对比度,抗热、抗光、抗化学试剂的性能亦佳,现已大量用于生产。

高帧速摄像器

本文介绍了高帧速摄像器的设计、制造、工作和性能。该高帧速有３６０×３６０像素、摄像速度高达５×１０５帧／秒，该摄像器读出电路类似于帧转移ＣＣＤ。

新型有机电致发光材料

本文介绍新型的适合制造有机电致发光板新材料：一氧二氮杂茂系列材料，硅醚系列材料和稀土金属络合物系列材料。

PDP中的印刷技术

本文介绍印刷技术在 PDP中的重要性 ,具体介绍用印刷法制造隔栅 ,荧光粉层和选址电极。

微型斩波器

光学微型斩波器是一种新型器件，主要用于热释电红外敏感器。本文 介绍它的结构、工作原理和制造工艺。

多视点成像技术

介绍几种多视点成像技术,对其发展现状、优缺点以及应用范围进行了详细探讨。

近红外像增强器

介绍近红外像增强器。重点介绍ＩｎＧａＡｓ光电阴极的性能、特性以及 像增强器的性能参数。

清洗平板显示玻板的新工艺

本文介绍清洗平板显示玻板的新工艺新设备。具体介绍玻板的抗蚀性能、灵巧清洗台,超声波无酸碱清洗工艺,红外光、紫外光净化工艺。

PDP中的新型保护膜

主要介绍PDP中的MgO保护膜及各种制造方法，并对新型MgAl_2O_3保护膜作了简单介绍。

GeSi/Si异质结红外摄像器

论述了单片 5 12× 5 12像素的 Ge Si/Si异质结红外摄像器。它的工作原理和 Pt Si/Si肖特基势垒红外摄像器一样。制造 Ge Si/Si异质结采用分子束外延法 ,在 Si片上生长 Ge Si膜。该膜有理想的应力。文章评价了 Ge成份、掺杂浓度、Ge Si膜厚和光谱响应的关系。研究表明器件的最佳工作波长为 8～ 12μm。