200 keV电子辐照后β-Ga_(2)O_(3)光学色心的激光功率依赖性

利用光致发光光谱研究了200 keV电子辐照β-Ga_(2)O_(3)光学色心的功率依赖性。经过对比辐照前后样品,发现光谱中684 nm、690 nm和697 nm零声子线强度发生了明显的变化,而且在715 nm红光区域处出现了一个宽带。通过线扫描光致发光光谱图发现在辐照区域中心处发光强度最强,在边缘区域强度逐渐减弱。为了进一步了解光学色心的性质,并且进一步了解β-Ga_(2)O_(3)样品缺陷的性质。对β-Ga_(2)O_(3)样品进行了激光功率依赖性的研究,研究发现β-Ga_(2)O_(3)光学色心主要受到辐射复合和俄歇复合协同作用的影响,且684 nm零声子线受俄歇复合影响最大。