MOS器件的ESD失效

静电放电(ESD)对半导体器件,尤其是金属氧化物半导体(MOS)器件的影响日趋凸显,而相关的研究也是备受关注。综述了静电放电机理和3种常用的放电模型,遭受ESD应力后的MOS器件失效机理,MOS器件的两种失效模式;总结了ESD潜在性失效灵敏表征参量及检测方法;并提出了相应的静电防护措施。

动态电阻测试问题分析

基于稳压二极管动态电阻测试中所遇到的问题,对动态电阻的测试方法和原理进行了总结,结合测试原理,将现场3台分立器件测试系统进行了对比测试,分析了能够影响设备动态电阻测试精确性的各种因素。

MOSFET栅漏电流噪声模型研究

随着MOSFET尺寸的不断减小,栅漏电流对器件特性的影响日益明显。栅漏电流噪声一方面影响器件性能,另一方面可用于栅介质质量表征,因此对其研究备受关注。由于栅介质噪声研究具有重要意义,文献中已经建立起各种各样的噪声模型,文中对其进行了归纳整理。在此基础上分析了各种模型的特性和局限性,进而探讨了其应用范围。

动态电阻测试问题分析

本文基于稳压二极管动态电阻测试中所遇到的问题,对动态电阻的测试方法和原理进行了总结,结合测试原理分析和现场三台分立器件测试系统的对比测试,分析了设备动态电阻测试精确性的影响因素。

功率晶体管击穿特性及测试分析

本文从雪崩击穿、二次击穿和异常击穿三个方面,论述了双极型功率晶体管的击穿特性,结合半导体分立器件测试系统所采用的击穿电压测试原理,对击穿电压实际测试过程中遇到的问题进行了总结和分析。

栅隧穿电流分量研究

MOS器件尺寸缩减,导致栅氧化层厚度急剧减小,引起栅隧穿电流的迅速增大,对MOS器件特性产生了很大影响。该文基于此,重点分析和研究了栅隧穿电流分量及其特性,并针对四端MOS器件给出了相应的栅隧穿电流分量测试原理及构思。

浅析提高初中道德与法治教学时效性与有效性的策略

初中道德与法治具有时代性,教师要灵活把握时效性原则,做到与时俱进,实时更新。此外,教师也要通过深入浅出的教学方式让学生在学习中更加得心应手,从而提高教学的有效性。一、初中道德与法治教学的现状与问题,因为初中道德与法治在我省不是中考必考科目,因此,学生很难对此产生兴趣,并且认为道德与法治的学习并不重要。

如何提高初中政治课堂教学效果

随着时代的发展与进步,两耳不闻窗外事,一心只读圣贤书的学习方法与学习理念,在当今时代已经远远不能满足社会对学生的要求与选择。也正是由于这样的社会现状,想要让学生具备“家事国事天下事,事事关心”的态度,并且能够正确地了解与看待生活中的一些现象这一系列能力时,一门在过去初中教学阶段不受教师重视的科目:初中政治就这样被推到了初中阶段教学的首要位置。