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题名外延生长对GaN基PIN型器件的影响研究
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作者
葛子琪
邹继军
绍春林
赖穆人
赖兴阳
彭增涛
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机构
东华理工大学核技术技术应用教育部工程研究中心
江西誉鸿锦材料科技有限公司
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出处
《机电工程技术》
2024年第4期134-137,173,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(12275049)
江西省国际科技合作重点项目(20232BBH80005)
2022年度抚州市“揭榜挂帅”重大项目。
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文摘
实现了PIN型GaN外延材料的生长,并深入研究了影响器件性能的关键i-GaN外延层的生长温度和生长气流等要素。结果表明,适当的生长温度和气流条能够有效改善GaN的位错密度和背景掺杂,从而提升其晶体质量;过高或过低的生长温度和低气流则可能导致杂质原子如C、O等并入外延材料,形成高位错和缺陷。制备了GaN基PIN型器件,并探究了不同p层掺杂浓度对其电学I-V特性的影响。结果表明,较高的掺杂浓度有助于制备势垒低的欧姆接触,形成更优越的PN结特性。比较了Ni/Cr和Ni/Au两种金属接触对器件I-V特性的影响。结果表明,以Ni/Au制备P型欧姆接触能够获得更低的反向漏电流。此外,相较于Cr、Au具有更优越的稳定性和耐压性。深入探讨了PIN型GaN外延材料的生长条件对器件性能的影响,并通过制备GaN基PIN型器件深入研究了掺杂浓度和金属接触对电学特性的影响。
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关键词
GAN
PIN
生长温度和气流
p层掺杂浓度
欧姆接触
漏电流
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Keywords
GaN
PIN
growth temperature and flow rate
p-layer doping concentration
ohmic contact
leakage current
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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