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IGBT^4技术提高了应用性能 半导体技术与封装——完美的匹配
1
作者
拉尔夫.安纳克
赖茵哈特.赫茨
《变频器世界》
2007年第7期52-54,共3页
本文讨论IGBT^2、IGBT^3以及SEMITRANS~模块采用的新GBT^4半导体技术之间的区别,并展示在某些情况下新IGBT^4技术和CAL4二极管给SEMITRANS~模块所带来的性能提升。
关键词
IGBT^4
CAL^4二极管
SEMITRANS模块
变频器
下载PDF
职称材料
IGBT4技术提高了应用性能
2
作者
拉尔夫.安纳克
赖茵哈特.赫茨
《电源世界》
2007年第7期52-54,共3页
1引言在日益增长的变频器市场,许多厂商提供了性能和尺寸各异的变换器类型。这正是以低损耗和高开关频率而著称的新IGBT技术施展的舞台。在62毫米(当前模块的标准尺寸)模块中使用新IGBT技术,使用户可以因不必改变其机械设计概念而获益。
关键词
IGBT技术
性能
应用
标准尺寸
开关频率
设计概念
变频器
变换器
原文传递
题名
IGBT^4技术提高了应用性能 半导体技术与封装——完美的匹配
1
作者
拉尔夫.安纳克
赖茵哈特.赫茨
机构
Semikron International公司
出处
《变频器世界》
2007年第7期52-54,共3页
文摘
本文讨论IGBT^2、IGBT^3以及SEMITRANS~模块采用的新GBT^4半导体技术之间的区别,并展示在某些情况下新IGBT^4技术和CAL4二极管给SEMITRANS~模块所带来的性能提升。
关键词
IGBT^4
CAL^4二极管
SEMITRANS模块
变频器
Keywords
IGBT^4 CAL4 diode SEMITRANS module Inverter
分类号
TM341 [电气工程—电机]
下载PDF
职称材料
题名
IGBT4技术提高了应用性能
2
作者
拉尔夫.安纳克
赖茵哈特.赫茨
出处
《电源世界》
2007年第7期52-54,共3页
文摘
1引言在日益增长的变频器市场,许多厂商提供了性能和尺寸各异的变换器类型。这正是以低损耗和高开关频率而著称的新IGBT技术施展的舞台。在62毫米(当前模块的标准尺寸)模块中使用新IGBT技术,使用户可以因不必改变其机械设计概念而获益。
关键词
IGBT技术
性能
应用
标准尺寸
开关频率
设计概念
变频器
变换器
分类号
TP334.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
原文传递
题名
作者
出处
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1
IGBT^4技术提高了应用性能 半导体技术与封装——完美的匹配
拉尔夫.安纳克
赖茵哈特.赫茨
《变频器世界》
2007
0
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职称材料
2
IGBT4技术提高了应用性能
拉尔夫.安纳克
赖茵哈特.赫茨
《电源世界》
2007
0
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